Wersja pełna [8,55 MB] - Wydział Elektroniki, Telekomunikacji i ...

Nazwa przedmiotu Elementy elektroniczne
Skrót nazwy EE
Stopień:
KARTA PRZEDMIOTU
1. (inżynierski) 2. (magisterski)
X
Kierunek:
Elektronika i telekomunikacja Automatyka i robotyka Informatyka
X
Osoba odpowiedzialna za przedmiot:
Imię: Michał
Nazwisko: Polowczyk
E-mail: Michal.Polowczyk@eti.pg.gda.pl
Karta zajęć – wykład
poziom
liczba
Lp. Zagadnienie
wiedzy umiej.
godzin
A B C D E
1. Wstęp. Program przedmiotu. Zasady zaliczeń. X 0,33
2. Nośniki ładunku. Prawo działania mas i warunek neutralności
elektrycznej półprzewodnika.
X 0,67
3. Przewodność elektryczna półprzewodników. X 0,67
4. Ruchliwość i dyfuzja nośników ładunku. X 0,33
5. Elementy bezzłączowe: termistor, fotorezystor, piezorezystor,
gaussotron i hallotron.
X 1
6. Model idealnego złącza p-n. X 0,67
7. Charakterystyka prądowo-napięciowa rzeczywistego złącza p-n. X 0,34
8. Prądy rekombinacyjne i generacyjne w złączu p-n. X 0,33
9. Przebicie złącza p-n, fotoczułość i luminescencja złącza p-n. X 0,33
10. Pojemności barierowa i dyfuzyjna złącza p-n. X 0,33
11. Przełączanie złącza p-n; model dynamiczny wielkosygnałowy złącza. X 0,33
12. Model małosygnałowy złącza p-n. X 0,33
13. Konstrukcja i właściwości diod półprzewodnikowych: prostowniczych,
stabilizacyjnych, pojemnościowych, przełączających i mikrofalowych
(tunelowych, lawinowych i Gunna).
X 1
14. Podstawowe struktury i zasady działania tranzystorów bipolarnych
(konwencjonalnego, heterozłączowego, Darlingtona i Schottkyego).
X 0,67
15. Charakterystyki statyczne prądowo-napięciowe idealnego TB. X 0,67
16. Modele stałoprądowe, mało- i wielko-sygnałowe oraz model
komputerowy tranzystora bipolarnego.
X 1
17. Tranzystor polowy złączowy: budowa, zasada działania, modele. X 1
18. Efekt polowy w półprzewodnikach. Budowa i charakterystyki statyczne
tranzystorów polowych z izolowaną bramką (MOS; DMOS, EMOS,
LDMOS, VMOS, TMOS, FAMOS, MNOS, cienkowarstwowe,
organiczne, IS/Gas/Hum/Mag/FET’y).
X 1
19. Dwukońcówkowe stabilizatory prądu, tranzystory bipolarne z
izolowaną bramką, tranzystory typu SIT i HEMT.
X 1
20. Tyrystory (SCR, ASCR, RCT, SCS, GTO, SITH, MCT), diaki i triaki.
Tranzystory jednozłączowe i programowalne tranzystory
jednozłączowe.
X 1
21. Przyrządy ze sprzężeniem ładunkowym (CCD). Elementy bierne X 1
89