Wersja pełna [8,55 MB] - Wydział Elektroniki, Telekomunikacji i ...

monolitycznych układów scalonych.
22. Elementy systemów mikro-elektro-mechanicznych (m-aktuatory, msilniki
i m-pompy, zmienne pojemności i rezonatory MEMS, m-sensory
ciśnienia i sejsmiczne).
Karta zajęć – ćwiczenia
X 1
Razem 15
poziom
liczba
Lp. Zagadnienie
wiedzy umiej.
godzin
A B C D E
1. Obliczanie koncentracji nośników ładunku w półprzewodnikach X 1
2. Obliczanie przewodności elektrycznej półprzewodników jednorodnych X 1
3. Analiza podstawowych układów pracy bezzłączowych elementów
półprzewodnikowych
X 1
4. Dioda w układzie prostownika X 1
5. Analiza diodowego stabilizatora napięcia X 1
6. Analiza pracy diody pojemnościowej w układzie przestrajanego
obwodu rezonansowego
X 1
7. Kolokwium sprawdzające poziom wiedzy z zakresu 1-6 1
8. Wyznaczanie wartości elementów małosygnałowego schematu
zastępczego tranzystora bipolarnego z jego charakterystyk statycznych i
danych katalogowych.
X 1
9. Analiza wzmocnienia elementarnego wzmacniacza na tranzystorze
bipolarnym
X 1
10. Analiza pracy klucza na tyranzystorze bipolarnym X 1
11. Wyznaczanie wartości parametrów małosygnałowych tranzystorów
polowych z ich charakterystyk statycznych.
X 1
12. Analiza podstawowych parametrów wzmacniaczy na tranzystorach
polowych
X 1
13. Analiza charakterystyk częstotliwościowych elementarnych
wzmacniaczy tranzystorowych
X 1
14. Praca tyrystora konwencjonalnego w układzie prostownika sterowanego X 1
15. Kolokwium sprawdzające poziom wiedzy z zakresu 8-14 1
Razem 15
Karta zajęć – laboratorium
poziom liczba
Lp. Zagadnienie
wiedzy umiej.
godzin
A B C D E
1. Zasady pracy w Laboratorium Elementów Elektronicznych. Przyrządy
oraz zestawy pomiarowe laboratorium. Warunki zaliczenia.
X 1
2. Pomiary charakterystyk statycznych diod p-n. X 1
3. Badanie właściwości dynamicznych diod p-n. X 1
4. Pomiary diod stabilizacyjnych. X 2
5. Pomiary charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego. X 2
6. Badanie właściwości małosygnałowych tranzystora bipolarnego. X 2
7. Badanie właściwosci impulsowych tranzystora bipolarnego. X 2
8. Pomiary charakterystyk złączowego tranzystora polowego. X 2
9. Badanie przyrządów optoelektronicznych. X 1
10. Zaliczenie ćwiczeń laboratoryjnych. X 1
Razem 15
90