notas explicativas de la cuarta enmiend - Intranet

- 1026 -operaciones pueden efectuarse por presión atmosférica (LPCVD) o usando la tecnica de activación deplasma (PECVD).c) Equipos de deposición física del vapor (PVD), los cuales depositan películas aislantes obtenidas porvaporización de sustancias sólidas, por ejemplo:1) Equipos de evaporación, en los cuales la película es generada calentando el material fuente.2) Equipos de pulverización, en los que la película es generada por bombardeo de iones sobre elmaterial fuente (blanco).d) Equipos de epitaxia de haces molecular (MBE), en los que crecen películas en capas epitaxiales enun substrato monocristalino calentado en ultra alto vacío, utilizando haces de moléculas. Este procesoes similar al de PVD.2) Los equipos de dopaje, que introducen impurezas en la superficie de las obleas (“wafers”) para modificarla conductividad u otras características de la capa semiconductora, por ejemplo:a) Equipos de difusión térmica, en los que las impurezas se introducen en la superficie de la oblea(“wafer”) por aplicación de gases a altas temperaturas.b) Aparatos de implantación iónica, en los que las impurezas se introducen en la estructura cristalinade la superficie de la oblea (“wafer”) en forma de un haz de iones acelerados.c) Los hornos de recocido, que reparan las estructuras cristalinas de las obleas (“wafers”), dañadas porla implantación iónica.3) Los equipos de grabado al aguafuerte y de decapado, para grabar o limpiar las superficies de lasobleas (“wafers”), por ejemplo:a) Equipos de aguafuerte húmedo, en los que las susbstancias químicas para grabar se aplican porpulverización o inmersión. Los equipos pulverizadores de aguafuerte proporcionan resultados másuniformes que los de inmersión, ya que realizan la operación en una oblea a la vez.b) Equipos de aguafuerte de plasma seco, en los que los materiales del grabado se presentan comogases dentro de un campo de energía de plasma, proporcionando un perfil grabado anisotrópico. Estosgrabadores utilizan diversos métodos para generar plasma gaseoso que remueve el material delgadode las películas de las obleas semiconductoras.c) Equipos para remover por haces iónicos, en los que los átomos ionizados de gas son proyectadoshacia la superficie de la oblea (“wafer”). El impacto produce que la capa superior de la oblea searemovida físicamente de la superficie.d) Limpiadores o calcinadores, que utilizan técnicas similares a las de grabado para remover de lasuperficie de las obleas (“wafers”) la resina fotosensible gastada, que fue utilizada como esténcil(plantilla). Este equipo puede también remover los nitruros, los óxidos, y el silicio policristalino, con unperfil grabado isotrópico.4) Equipos de litografía, que transfieren los diseños del circuito a la superficie revestida de resinasfotosensibles de las obleas (“wafers”), por ejemplo:a) Equipos para recubrir obleas (wafers) con resinas fotosensibles. Estos comprenden los aparatosque aplican la resina fotosensible líquida uniformemente sobre la superficie de la oblea (wafer).b) Equipos para exponer los modelos del circuito (o una parte de éste) sobre una capasensibilizada que se ha aplicado en la superficie de la oblea (“wafer”) semiconductora:i) Utilizando una máscara o retícula y exponiendo la resina fotosensible a la luz (generalmenteultravioleta) o, en ocasiones a los rayos X, por ejemplo:a) Los aparatos de impresión por contacto, en los que la máscara o retícula se pone en contactocon la oblea (“wafer”) durante la exposición.b) Los alineadores de proximidad, que son parecidos a los alineadores por contacto, salvo que nohay contacto real entre la máscara ó retícula y la oblea (“wafer”). Se mantiene un pequeño espaciointermedio entre la máscara y la oblea durante la exposición.c) Los alineadores de barrido, que utilizan un sistema óptico de proyección para reproducir un arcoiluminado desde el plano de la máscara en el plano de la oblea (“wafer”). Un sistema de exploraciónmueve la máscara y la oblea (“wafer”) a través del arco para copiar la máscara patrón en la obleasensibilizada.d) Los fotorrepetidores, que utilizan un sistema óptico de proyección para exponer una sección de laoblea (“wafer”) cada vez. La exposición puede realizarse por reducción de la máscara sobre laoblea, o a escala 1:1. Una de las técnicas utilizadas a tal efecto es la de los láseres a excímeros.ii) Los aparatos de escritura directa sobre la oblea (“wafer”). Estos aparatos no utilizan ningunamáscara o retícula. Usan un haz de electrones (“E-beam”, haz de iones o láser) controlado por unamáquina automática de tratamiento o procesamiento de datos que dibuja el circuito patróndirectamente sobre la resina fotosensible de la oblea (“wafer”).5) Los equipos para revelar las obleas (“wafers”) expuestas. Incluyen los baños químicos similares aaquéllos usados en los laboratorios fotográficos.La presente partida también comprende:i) Las centrifugas para depositar resina fotosensible sobre placas en materias aislantes, o sobre obleas(“wafers”).ii) Las estampadoras por estarcido para imprimir el substrato aislador con colores que resisten a losproductos cáusticos.iii) Las máquinas para trazar en laser, para dividir las obleas (“wafers”) en forma de microplaquitas(chips).iv) Las sierras para cortar las obleas (“wafers”).C.- MAQUINAS Y APARATOS PARA LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS DE VISUALIZACION(DISPLAY) DE PANTALLA PLANAEn este grupo se incluyen las máquinas y aparatos para la fabricación de dispositivos de visualización(display) de pantalla plana. Sin embargo, no cubre las máquinas y aparatos para la fabricación del cristal o elensamble de los tableros de circuitos impresos u otros componentes electrónicos sobre la pantalla plana.