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notas explicativas de la cuarta enmiend - Intranet

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- 1073 -3) Los diacs, que son dispositivos constituidos por tres zonas <strong>de</strong> conductividad (dos uniones PN) <strong>de</strong>materias semiconductoras y que se utilizan para proporcionar a los triacs los impulsos positivos onegativos necesarios para su funcionamiento.4) Los varactores o diodos <strong>de</strong> capacidad variable.5) Los dispositivos <strong>de</strong> efecto <strong>de</strong> campo, tales como los gridistores.6) Los dispositivos <strong>de</strong> efecto “Gunn”.Por el contrario, no están comprendidos en este grupo, los dispositivos semiconductores que, a diferencia <strong>de</strong> loscontemp<strong>la</strong>dos anteriormente, funcionan principalmente por <strong>la</strong> influencia <strong>de</strong> <strong>la</strong> temperatura, <strong>de</strong> <strong>la</strong> presión, etc. Tal es el caso,en especial, <strong>de</strong> <strong>la</strong>s resistencias no lineales semiconductoras (termistores, varistores, magnetorresistencias, etc.) (partida85.33).En lo que respecta a los dispositivos fotosensibles que funcionan por <strong>la</strong> acción <strong>de</strong> rayos luminosos(fotodiodos), véase el apartado B.Los dispositivos <strong>de</strong>scritos anteriormente se c<strong>la</strong>sifican en esta partida, tanto si se presentan montados, es<strong>de</strong>cir, provistos ya <strong>de</strong> los terminales o encapsu<strong>la</strong>dos (componentes), como si se presentan sin montar(elementos) o, incluso, en discos (obleas) sin cortar todavía. Las materias semiconductoras naturales (porejemplo, <strong>la</strong> galena) sólo se c<strong>la</strong>sifican aquí si están montadas.In<strong>de</strong>pendientemente <strong>de</strong> <strong>la</strong>s exclusiones ya previstas, no se c<strong>la</strong>sifican en esta partida los elementos químicos <strong>de</strong>lCapítulo 28, tales como el silicio y el selenio dopados para su utilización en electrónica, incluso cortados en forma <strong>de</strong>discos, p<strong>la</strong>quitas o formas análogas, pulidos o sin pulir, con una capa epitaxial uniforme o sin el<strong>la</strong> con <strong>la</strong> condición <strong>de</strong> queno hayan sido objeto <strong>de</strong> dopaje o difusión selectivas para crear regiones discretas.B. - DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES FOTOSENSIBLESEste grupo compren<strong>de</strong> los dispositivos semiconductores fotosensibles en los que <strong>la</strong>s radiaciones visibles,infrarroja o ultravioleta, provocan por un efecto fotoeléctrico interno, una variación <strong>de</strong> <strong>la</strong> resistividad o <strong>la</strong>aparición <strong>de</strong> una fuerza electromotriz.Los tubos fotoemisores (célu<strong>la</strong>s fotoemisoras), cuyo funcionamiento esté basado en el efecto fotoeléctrico externo(fotoemisión) pertenecen a <strong>la</strong> partida 85.40.Los principales tipos <strong>de</strong> dispositivos semiconductores fotosensibles son los siguientes:1) Las célu<strong>la</strong>s fotoconductoras (fotorresistencias), constituidas comúnmente por dos electrodos entrelos que se ha interca<strong>la</strong>do una sustancia semiconductora (sulfuro <strong>de</strong> cadmio, sulfuro <strong>de</strong> plomo, etc.) quetiene <strong>la</strong> propiedad <strong>de</strong> ofrecer al paso <strong>de</strong> <strong>la</strong> corriente una resistencia cuyo valor varía según <strong>la</strong> intensidadluminosa que inci<strong>de</strong> en <strong>la</strong> célu<strong>la</strong>.Se utilizan para <strong>la</strong> <strong>de</strong>tección <strong>de</strong> l<strong>la</strong>mas, para medir el tiempo <strong>de</strong> exposición <strong>de</strong> aparatos fotográficos,para contar objetos en movimiento, para <strong>la</strong> apertura automática <strong>de</strong> puertas, etc.2) Las célu<strong>la</strong>s fotovoltaicas o fotopi<strong>la</strong>s, que transforman directamente <strong>la</strong> luz en energía eléctrica sinnecesidad <strong>de</strong> una fuente exterior <strong>de</strong> corriente. Las célu<strong>la</strong>s <strong>de</strong> selenio se utilizan principalmente para <strong>la</strong>fabricación <strong>de</strong> luxómetros y exposímetros. Las célu<strong>la</strong>s <strong>de</strong> silicio tienen un rendimiento más elevado y seprestan principalmente a <strong>la</strong> utilización en el mando y regu<strong>la</strong>ción, para <strong>la</strong> <strong>de</strong>tección <strong>de</strong> impulsosluminosos, en los sistemas <strong>de</strong> comunicación por fibras ópticas, etc.Se distinguen especialmente entre estas célu<strong>la</strong>s:1°) Las célu<strong>la</strong>s so<strong>la</strong>res, célu<strong>la</strong>s fotovoltaicas <strong>de</strong> silicio que transforman <strong>la</strong> luz so<strong>la</strong>r directamente enenergía eléctrica. Se utilizan generalmente en grupos para alimentar con energía eléctrica loscohetes o los satélites <strong>de</strong> investigaciones espaciales, emisoras <strong>de</strong> socorro <strong>de</strong> montaña, etc.Permanecen c<strong>la</strong>sificadas aquí <strong>la</strong>s célu<strong>la</strong>s so<strong>la</strong>res, incluso ensamb<strong>la</strong>das en módulos oconstituyendo paneles. Por el contrario, se excluyen <strong>de</strong> esta partida los paneles o los módulosequipados con dispositivos, incluso muy sencillos (por ejemplo, diodos para dirigir <strong>la</strong> corriente) quepermitan suministrar energía directamente utilizable, por ejemplo, por un motor o un aparato <strong>de</strong>electrólisis (partida 85.01).2°) Los fotodiodos (<strong>de</strong> germanio o silicio, principalmente), que se caracterizan por una variación <strong>de</strong> <strong>la</strong>resistividad cuando <strong>la</strong>s radiaciones luminosas inci<strong>de</strong>n sobre <strong>la</strong> unión PN. Se utilizan enprocesamiento <strong>de</strong> datos (lectura <strong>de</strong> memorias), como fotocátodos en ciertos tubos electrónicos, enlos pirómetros <strong>de</strong> radiación, etc. Los fototransistores y los fototiristores pertenecen a estacategoría <strong>de</strong> receptores fotoeléctricos.Cuando están encapsu<strong>la</strong>dos, estos dispositivos se distinguen <strong>de</strong> los diodos, transistores ytiristores <strong>de</strong>l aparato A anterior por <strong>la</strong> cubierta, en parte transparente para permitir el paso <strong>de</strong> <strong>la</strong> luz.3°) Los pares fotoeléctricos y los fotorrelés, constituidos por <strong>la</strong> asociación <strong>de</strong> diodoselectroluminiscentes y <strong>de</strong> fotodiodos, fototransistores y fototiristores.Los dispositivos semiconductores fotosensibles se c<strong>la</strong>sifican en esta partida, tanto si se presentanmontados, es <strong>de</strong>cir, con los terminales o encapsu<strong>la</strong>dos, como si se presentan sin montar.C.- DIODOS EMISORES DE LUZLos diodos emisores <strong>de</strong> luz o diodos electroluminiscentes (principalmente el arseniuro <strong>de</strong> galio ofosfuro <strong>de</strong> galio) son dispositivos que transforman <strong>la</strong> energía eléctrica en radiaciones visibles, infrarrojas oultravioletas. Se utilizan principalmente para <strong>la</strong> visualización o <strong>la</strong> transmisión <strong>de</strong> información en los sistemas<strong>de</strong> procesamiento <strong>de</strong> datos.Los diodos láser emiten luz coherente. Se utilizan para <strong>la</strong> <strong>de</strong>tección <strong>de</strong> partícu<strong>la</strong>s nucleares, en altimetríao en telemetría, en los sistemas <strong>de</strong> comunicación por fibras ópticas, etc.D.- CRISTALES PIEZOELECTRICOS MONTADOS.Se utilizan <strong>la</strong>s propieda<strong>de</strong>s piezoeléctricas <strong>de</strong> <strong>de</strong>terminados cristales, principalmente los cristales <strong>de</strong>titanato <strong>de</strong> bario (incluidos los elementos policristalinos po<strong>la</strong>rizados <strong>de</strong> titanato <strong>de</strong> bario, circotitanato <strong>de</strong> plomou otros cristales <strong>de</strong> <strong>la</strong> partida 38.24 (véase <strong>la</strong> Nota Explicativa correspondiente) así como los cristales <strong>de</strong>cuarzo o <strong>de</strong> turmalina, en los micrófonos, altavoces, producción o captación <strong>de</strong> ultrasonidos, osci<strong>la</strong>dores congran estabilidad <strong>de</strong> frecuencia, etc. Sólo se c<strong>la</strong>sifican en esta partida los cristales montados. Se presentangeneralmente en forma <strong>de</strong> p<strong>la</strong>cas, barras, discos, anillos, etc., y <strong>de</strong>ben tener, por lo menos, terminales oconexiones eléctricas. Pue<strong>de</strong>n estar recubiertos <strong>de</strong> grafito, <strong>de</strong> barniz, etc., o dispuestos en soportes yfrecuentemente están colocados en una envolvente (caja metálica, ampol<strong>la</strong> <strong>de</strong> vidrio o montura <strong>de</strong> otrasmaterias). Sin embargo, cuando el conjunto (montura y cristal) ha sobrepasado, por unión <strong>de</strong> otros

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