notas explicativas de la cuarta enmiend - Intranet

- 1074 -dispositivos, la fase de un simple cristal montado y ha adquirido el carácter de una parte netamentedeterminada de máquina o aparato, este último ensamblado se clasifica como pieza de la máquina o aparato,por ejemplo, células piezoeléctricas para micrófonos o altavoces de la partida 85.18, célula fonocaptora de lapartida 85.22, palpador para aparato detector y medidor de espesores por ultrasonido de la partida 90.33,oscilador de cuarzo para reloj electrónico de la partida 91.14.Se excluyen además de esta partida los cristales piezoeléctricos sin montar (generalmente: partidas 38.24, 71.03 o71.04).PARTESSalvo lo dispuesto con carácter general respecto a la clasificación de partes (véanse lasConsideraciones Generales de la Sección XVI), están igualmente comprendidas aquí las partes de losartículos de esta partida.00 0Nota Explicativa de Subpartida.Subpartida 8541.21La capacidad de disipación de un transistor se mide aplicándole la tensión de funcionamiento especificaday midiendo la potencia que pueden soportar permanentemente a una temperatura de 25° C. Por ejemplo, si eltransistor puede soportar una carga permanente de 0.2 amperios a una tensión de funcionamientoespecificado de 5 voltios y una temperatura que se mantenga a 25°C, la capacidad de disipación es de 1 vatio(intensidad x tensión = potencia).Para los transistores con medios de disipación del calor (por ejemplo, caja metálica o pastilla), latemperatura de referencia de 25°C es la del zócalo o caja, mientras que para los demás transistores (porejemplo, con una simple envolvente de plástico), es la del aire ambiente.85.42 CIRCUITOS ELECTRONICOS INTEGRADOS.– Circuitos electrónicos integrados:8542.31 – – Procesadores y controladores, incluso combinados con memorias, convertidores, circuitoslógicos, amplificadores, relojes y circuitos de sincronización, u otros circuitos.8542.32 – – Memorias.8542.33 – – Amplificadores.8542.39 – – Los demás8542.90 – Partes.Los artículos de esta partida se definen en la Nota 8 b) de este Capítulo.Esta partida comprende un conjunto de dispositivos electrónicos que tienen una densidad elevada deelementos o de componentes pasivos y activos, que se consideran como una unidad (véase, en lo que serefiere a los elementos o componentes que se consideran pasivos o activos, la Nota Explicativa de la partida85.34, primer párrafo). Por el contrario, los circuitos electrónicos compuestos únicamente de elementospasivos se excluyen de esta partida.A diferencia de los circuitos electrónicos integrados, los componentes discretos pueden tener una solafunción eléctrica activa (dispositivos semiconductores definidos en la Nota 8 a) del Capítulo 85) o una solafunción eléctrica pasiva (resistencias, capacitores, inductancias, etc.). Los componentes discretos sonindivisibles y son los componentes fundamentales de los elementos electrónicos de construcción en unsistema.Sin embargo, no se consideran componentes discretos los que consistan en varios elementos de uncircuito eléctrico y tengan varias funciones eléctricas, tales como los circuitos integrados.Los circuitos electrónicos integrados incluyen a las memorias memorias DRAM (memoria de accesoaleatorio dinámica), SRAM (memoria de acceso directo estática), PROM (memoria de sólo lecturaprogramable), EPROM (memoria de sólo lectura programable electrónicamente), EEPROMS (o E 2 PROM), losmicrocontroladores, circuitos de control, circuitos lógicos, matriz de puertas, circuitos de interfaz, etc.Los circuitos electrónicos integrados comprenden:1) Circuitos integrados monolíticos.Los circuitos integrados monolíticos son microestructuras en las que los elementos del circuito (diodos,transistores, resistencias, condensadores, interconexiones, etc.) se crean esencialmente en la masa y en lasuperficie de un material semiconductor (por ejemplo, silicio impurificado) y están, en consecuencia,asociados de un modo inseparable. Los circuitos integrados monolíticos pueden ser digitales, lineales(analógicos) o digitales-analógicos.Los circuitos integrados monolíticos pueden presentarse:1) montados, es decir, provistos ya de las conexiones, encapsulados en cubiertas de metal, cerámica oplástico o sin encapsular. Estas cubiertas pueden ser por ejemplo, cilíndricas o paralelepipédicas;2) sin montar, es decir, en microplaquitas (chips) de forma normalmente rectangular, generalmente dealgunos milímetros de lado;3) en forma de discos (obleas) sin cortar todavía en microplaquitas (chips).Se pueden citar como circuitos integrados monolíticos digitales:1) los semiconductores de óxido metálico (tecnología MOS);2) los circuitos obtenidos por tecnología bipolar.3) los circuitos obtenidos por una combinación de las tecnologías bipolar y MOS (tecnología BIMOS).Las tecnologías “genéricas” involucradas en la fabricación de transistores son la tecnología de lossemiconductores de óxido metálico (MOS), y en particular la de óxido metálico complementario (CMOS) y latecnología bipolar. Como el componente básico de los circuitos integrados monolíticos es el transistor, ésteconfiere al circuito integrado sus características. Los circuitos bipolares se prefieren para sistemas donde sebusca la máxima velocidad de proceso. Por otra parte, los circuitos MOS se prefieren para sistemas querequieren una alta densidad de integración de componentes y una baja potencia. Además los circuitos CMOStienen el consumo más bajo de energía. Así, se prefieren para aplicaciones donde la potencia es limitada odonde son previsibles problemas de refrigeración. La relación complementaria entre las tecnologías bipolares