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Table des matières
Introduction 16
Partie I : Généralités sur la ferroélectricité, les matériaux ferroélectriques et les
techniques de dépôt de films minces 18
1 La ferroélectricité .....................................................................................................19
1.1 Historique et essentiel de la ferroélectricité 19
1.2 Cycle d’hystérésis 23
1.3 Domaines ferroélectriques et polarisation 24
1.4 Applications de la ferroélectricité aux mémoires ferroélectriques 26
2 Matériaux ferroélectriques et candidats aux mémoires FeRAM ..........................29
2.1 Composés à structure pérovskite (BST, PZT, PMN-PT, NBT) 30
2.1.2 Pb(Zr1-xTix)O3 (PZT) & (Pb1-zLaz)(Zr1-xTix)O3 (PLZT) 32
2.1.3 Pb(Mn0,33Nb0,66)O3 (PMN) & Pb[(Mn0,33Nb0,66)1-xTix]O3 (PMN-PT) 33
2.1.4 Na0,5Bi0,5TiO3 (NBT) 34
2.2 Phases d’Aurivillius (m = 2, 3 et 4) 38
2.3 Céramiques massives et films minces 41
3 Technologie des films minces ................................................................................42
3.1 Les méthodes physiques 42
3.1.1 Pulvérisation cathodique 42
3.1.2 Ablation par laser 43
3.2 Les méthodes chimiques 44
3.2.1 Dépôt chimique en phase vapeur (CVD) 44
3.2.2 Dépôt chimique en phase liquide (CSD) 44
3.3 Comparaison des méthodes physiques et chimiques 45
4 Technologie du dépôt chimique en phase liquide (CSD) .....................................46
4.1 Procédé 46
4.2 Voie Sol-Gel 49
4.2.1 Définition et réactions chimiques 49
4.2.2 Avantages et inconvénients 55
4.3 Décomposition d’organométalliques (MOD) 56
4.3.1 Description 56
4.3.2 Avantages et inconvénients 57
4.4 Techniques de dépôt 57
4.4.1 Trempage (« dip coating ») 57
4.4.2 Pulvérisation (spray coating) 58
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