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Figure 102 : Micrographies MEB du film de NBT préparé avec la solution précurseur n°2 et traité à 650°C avec une rampe de chauffe de 10°C.min -1 . Figure 103 : Micrographies MEB du film de NBT préparé avec la solution précurseur n°2 et traité à 650°C avec une rampe de chauffe RTA. - 188 -
L’augmentation de la température de recuit à 750°C (au lieu de 650°C) (Figure 104) permet d’accroître considérablement la taille de grains qui composent le film. Ces derniers produits par la coalescence de grains plus fins mesurent entre 300 et 800 nm. Les mécanismes de diffusion et de coalescence semblent donc être efficaces pour une température supérieure à 700°C. Les acquisitions AFM (Figure 105 et Figure 106) attestent de la profondeur des pores qui atteignent parfois l’épaisseur totale du film et qui pourront être la cause de courts-circuits lors des mesures électriques. Figure 104 : Etude d’un film de NBT préparé avec la solution précurseur n°2 et traité à 750°C avec une rampe de chauffe TC (10°C.min -1 ). (a) Diagramme de diffraction des rayons X, (b) Micrographies MEB à différents grandissements. - 189 -
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Remerciements Je tiens à remercier
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3.3 Modèle de cristallisation (sol
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Introduction Depuis plus d’un dem
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Les cristaux doivent nécessairemen
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- les matériaux présentant une tr
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électrique de sens contraire et pr
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croît plus vite jusqu’à atteind
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2.1 Composés à structure pérovsk
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Ba1-xSrxTiO3 [39, 40]. La températ
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nanodéplacements, condensateurs mu
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fraction volumique de la variété
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l’ont observé Park et al. au cou
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On assiste alors au déplacement de
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typiquement comprises entre 4 et 16
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3.2 Les méthodes chimiques Les tec
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4 Technologie du dépôt chimique e
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Les dépôts réalisés par CSD per
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première synthèse sol-gel d’un
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Les alcoxydes métalliques sont ain
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mécanismes d’agrégation de la v
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4.3 Décomposition d’organométal
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L’épaisseur du film formé est f
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- Feuille de métal (Cu), - Verre o
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Après son dépôt le film mince co
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arrive que des précurseurs apparte
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affectent de la même manière la d
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Figure 18 : Diagramme idéal de l
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étapes de la cristallisation. Les
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1.1.2 Cation B Les blocs pérovskit
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d’Aurivillius comme on peut le co
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secondes. La couche est ensuite sé
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3.2 Dépôt sur silicium platiné P
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3.2.2 Diagrammes de référence Fig
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information intéressante. En effet
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les effets de nucléation aux inter
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Il est intéressant de remarquer qu
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préalable cristallisée par traite
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qu’il n’existe pas de réseaux
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son substrat. Il conviendrait de fa
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L’étude de la cristallisation de
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22. Taylor, D.J., et al., Electrica
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140. Keddie, J.L., P.V. Braun, and
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174. Frit, B. and J.P. Mercurio, Cr
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209. Gruverman, A., O. Auciello, an
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