Texte intégral en version PDF - Epublications - Université de Limoges

Partie I : Généralités sur la ferroélectricité, les
matériaux ferroélectriques et les techniques de
dépôt de films minces
Dans les premiers paragraphes de cette partie, sont abordés brièvement les
thèmes de ferroélectricité, les propriétés non linéaires de certains oxydes puis la
notion de domaines ferroélectriques où la présence d’une polarisation résultante non
nulle se trouve à l’origine du développement des mémoires ferroélectriques et de
l’étude des matériaux susceptibles de posséder de telles caractéristiques.
Les oxydes à base de plomb qui sont aujourd’hui encore pleinement utilisés
dans l’électronique malgré les risques liés à la pollution et à la santé, doivent à ce
titre être remplacés. Cette nécessité tout autant que la dégradation des propriétés
des titanozirconates de plomb sous une utilisation prolongée suscitent depuis une
vingtaine d’années un intérêt renouvelé entraînant l’expertise de matériaux connus
ou nouvellement synthétisés. Ces familles de matériaux ferroélectriques font ainsi
l’objet des paragraphes suivants.
Viennent ensuite les ressources bibliographiques qui concernent l’impact de la
mise en forme sur les propriétés de ces matériaux ainsi que les différents procédés
couramment utilisés pour obtenir la géométrie de film mince. Un accent particulier est
donné à la technologie des dépôts chimiques en phase liquide sur laquelle s’appuie
le travail expérimental de ce mémoire.
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