Texte intégral en version PDF - Epublications - Université de Limoges

Les dépôts réalisés par CSD permettent une très bonne maîtrise de la
composition chimique du film mince en relation avec la stœchiométrie de la solution
précurseur. Puisque la plupart des précurseurs organométalliques peuvent être
purifiés par distillation, il s’agit là d’une source de matériaux extrêmement pure.
D’autre part, les différentes méthodes de dépôt qu’il est possible de réaliser avec la
technologie CSD (pulvérisation, trempage ou centrifugation) offrent la possibilité de
couvrir des surfaces de substrat de plusieurs cm 2 avec une bonne uniformité
d’épaisseur pour un coût d’investissement relativement faible malgré le prix élevé de
certains organométalliques [98].
Il est à noter que l’obtention de films épitaxiés est difficile et que l’épaisseur du
film déposé ne s’étend que de quelques dizaines de nm jusqu’à quelques dizaines
de µm avec des difficultés indéniables pour réaliser des dépôts denses de quelques
nanomètres.
De plus, cette technologie n’autorise pas ou peu la réalisation de structures
complexes en 3 dimensions. Il existe cependant plusieurs techniques (Figure 12)
permettant de sculpter (ou d’imprimer) une certaine géométrie à un film « gélifié »
avant que ce dernier ne soit cristallisé. A titre d’exemples, nous citerons deux
méthodes, l’une qui consiste à utiliser un faisceau d’électrons (electron beam direct
writing - EBDW) et un masque afin d’éliminer le film d’organométallique [99] et l’autre
à utiliser un moule en silicium afin de mettre en forme les cellules sous l’effet d’une
compression [100].
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