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Figure 97 : Etude AFM du film présenté à la Figure 96 : (a) Acquisition (1000x1000) nm 2 et vue 3D, (b) Acquisition (500x500) nm 2 et vue 3D, (c) Analyse du profil mettant en évidence la topographie et la taille de grains. 4.1.3.d Pyrolyse, cristallisation à 460°C (substrat de type 1) puis recuit à 750°C Lorsque le film précédent est recuit pendant 15 minutes à 750°C par un traitement conventionnel (Figure 98), une répartition bimodale des cristallites apparaît. - 182 -
Le film est formé d’amas mesurant environ 120 à 130 nm constellés de particules plus fines n’excédant pas 40 nm. La rugosité moyenne s’en retrouve accrue et s’élève à 10,1 nm (Figure 99). Figure 98 : Diagramme de diffraction des rayons X d’un film déposé sur un substrat de silicium platiné n°1 (Radiant) et cristallisé couche par couche à 460°C puis recuit 30 minutes à 750°C. La cristallisation même partielle d’un film à une température inférieure à 500°C est un avantage indéniable qui rend possible à terme son intégration au sein d’hétérostructures complexes à base de silicium. Les films pyrolysés à 460°C semblent requérir un recuit soit à plus haute température, soit plus long à température réduite, afin d’achever la conversion : amorphe + BTpyr NBTper Un des paramètres non explorés mais qui revêt une importance non négligeable à la lumière des microstructures précédentes est donc l’allongement de la durée des étapes de séchage et de pyrolyse afin de densifier le film, de diminuer la porosité due à l’évaporation des gaz de décomposition et de transformer l’ensemble de la matrice en phase de structure perovskite. - 183 -
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Remerciements Je tiens à remercier
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Introduction Depuis plus d’un dem
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Les cristaux doivent nécessairemen
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2.1 Composés à structure pérovsk
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Ba1-xSrxTiO3 [39, 40]. La températ
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l’ont observé Park et al. au cou
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On assiste alors au déplacement de
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3.2 Les méthodes chimiques Les tec
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Les dépôts réalisés par CSD per
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Les alcoxydes métalliques sont ain
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4.3 Décomposition d’organométal
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L’épaisseur du film formé est f
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Après son dépôt le film mince co
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