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Texte intégral en version PDF - Epublications - Université de Limoges

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nucléation sembl<strong>en</strong>t concourir à assurer, dans le cas <strong>de</strong> l’épaisseur d’un seul dépôt,<br />

l’élimination <strong>de</strong>s carbonates <strong>de</strong> sodium et la transformation <strong>de</strong> la matrice - amorphe<br />

et/ou composée <strong>de</strong> grains <strong>de</strong> phase pyrochlore riche <strong>en</strong> bismuth - <strong>en</strong> grains <strong>de</strong> NBT<br />

<strong>de</strong> structure perovskite.<br />

Lorsque le film est traité à 380°C, la pyrolyse du réseau organométallique est<br />

achevée et le recuit <strong>de</strong> cristallisation conduit à un film biphasé. Seule l’application<br />

d’une température élevée permettrait probablem<strong>en</strong>t d’éliminer les carbonates piégés<br />

dans le cas <strong>de</strong> l’épaisseur <strong>de</strong> 4 couches. De telles températures sont cep<strong>en</strong>dant<br />

néfastes et ne garantiss<strong>en</strong>t pas ici la stœchiométrie du film à cause <strong>de</strong> la gran<strong>de</strong><br />

volatilité du sodium et du bismuth.<br />

L’utilisation d’un excès <strong>de</strong> sodium et <strong>de</strong> bismuth est déconseillée. En effet<br />

dans le système <strong>de</strong> NBT, plus pauvre <strong>en</strong> bismuth que le système <strong>de</strong>s phases<br />

d’Aurivillius étudiées dans la première partie <strong>de</strong> ce recueil, elle conduirait à la<br />

stabilisation <strong>de</strong> la phase <strong>de</strong> structure pyrochlore plus riche <strong>en</strong> bismuth (r = 1 ou r =<br />

0,87) que NBT (r = 0,5) et/ou à la cristallisation <strong>de</strong> phases autres que NBT.<br />

Afin d’obt<strong>en</strong>ir <strong>de</strong>s informations quantitatives sur l’ori<strong>en</strong>tation cristalline<br />

év<strong>en</strong>tuelle du dépôt, il est souv<strong>en</strong>t fait appel à la diffraction asymétrique.<br />

4.1.3.b Diffraction asymétrique (incid<strong>en</strong>ce faible)<br />

L’utilisation d’un angle d’incid<strong>en</strong>ce faible <strong>de</strong> l’ordre <strong>de</strong> 0,3° permet <strong>de</strong> réduire quasi<strong>en</strong>tièrem<strong>en</strong>t<br />

la contribution <strong>de</strong> l’électro<strong>de</strong> au diagramme <strong>de</strong> diffraction. Le montage utilisé est <strong>de</strong> type<br />

Debye-Scherrer utilisant la radiation Kα1 du cuivre et équipé d’un monochromateur courbe, d’un<br />

détecteur à gaz courbe à localisation (INEL CPS 120) et d’un porte-échantillon tournant qui permet<br />

d’accroître le nombre <strong>de</strong> cristallites qui seront <strong>en</strong> mesure <strong>de</strong> diffracter.<br />

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