Texte intégral en version PDF - Epublications - Université de Limoges
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J x = −Dx<br />
⋅<br />
D D =<br />
dc<br />
dx<br />
Ea<br />
( )<br />
kT<br />
0 e<br />
−<br />
⋅<br />
Le rapport r = [Bi]/[Ti] dans le film <strong>de</strong>vi<strong>en</strong>t uniformém<strong>en</strong>t inférieur à 1 et inhibe<br />
la cristallisation <strong>de</strong> la phase d’Aurivillius souhaitée une fois que la réaction <strong>de</strong><br />
décarbonatation est bi<strong>en</strong> avancée. Le film est finalem<strong>en</strong>t composé <strong>de</strong> cristallites <strong>de</strong><br />
structure pyrochlore isotype <strong>de</strong> Bi1,74Ti2O6,624 au sein <strong>de</strong> laquelle le site A dévolu au<br />
bismuth Bi 3+ peut cep<strong>en</strong>dant avoir été substitué par Sr 2+ , issu <strong>de</strong> la réaction <strong>de</strong><br />
décarbonatation. Ce g<strong>en</strong>re <strong>de</strong> substitution observé par Ch<strong>en</strong> et al. et le paramètre <strong>de</strong><br />
maille <strong>de</strong> la phase <strong>de</strong> structure pyrochlore observée étant légèrem<strong>en</strong>t plus grand que<br />
dans le cas <strong>de</strong> Bi1,74Ti2O6,624 (rionicBi 3+ < rionicSr 2+ <strong>en</strong> coordin<strong>en</strong>ce [8] - table <strong>de</strong><br />
Shannon) nous permett<strong>en</strong>t <strong>de</strong> supposer qu’il <strong>en</strong> est <strong>de</strong> même dans le réseau du<br />
titanate <strong>de</strong> bismuth <strong>de</strong> structure pyrochlore qui a été stabilisé dans les films minces<br />
<strong>de</strong> SBT15 traité par RTA [172].<br />
Solutions <strong>en</strong>visagées:<br />
1. Electro<strong>de</strong> oxy<strong>de</strong> conductrice (interface oxy<strong>de</strong>/oxy<strong>de</strong>, limitation du phénomène <strong>de</strong><br />
fatigue et barrière d’arrêt <strong>en</strong> vue <strong>de</strong> conserver la stœchiométrie) [3].<br />
2. Excès <strong>de</strong> bismuth dans la composition du sol (comp<strong>en</strong>sation <strong>de</strong>s pertes <strong>de</strong><br />
bismuth dans le film & amélioration <strong>de</strong> la cristallinité [24] et <strong>de</strong>s valeurs <strong>de</strong> Pr, Ec)<br />
[173].<br />
3. Dépôt d’une couche sacrificielle <strong>de</strong> Bi2O3 à l’interface interne et/ou externe ou<br />
traitem<strong>en</strong>t thermique dans une atmosphère saturée par chauffage d’une poudre <strong>de</strong><br />
Bi2O3.<br />
Nous avons opté pour la solution n°2 puisqu’un excès <strong>de</strong> bismuth dans la<br />
solution permet <strong>de</strong> diminuer les chances <strong>de</strong> stabiliser <strong>de</strong>s phases parasites <strong>de</strong><br />
structure pyrochlore ou fluorine et augm<strong>en</strong>te la cristallinité du dépôt (rôle <strong>de</strong><br />
« fondant » du bismuth qui diffuse dans les gammes <strong>de</strong> température <strong>en</strong>visagées).<br />
Bi<strong>en</strong> <strong>en</strong>t<strong>en</strong>du, la solution n°3 n’est pas à négliger car dans le cas <strong>de</strong>s PZT ou<br />
d’autres phases d’Aurivillius Bi4Ti3O12 ou SrBi2Ta2O9, elle a souv<strong>en</strong>t conduit à <strong>de</strong>s<br />
films <strong>de</strong> très bonne qualité. La prés<strong>en</strong>ce d’une couche sacrificielle permet d’activer<br />
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