Elektrizität und Magnetismus - Physik-Institut - Universität Zürich
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Bei noch geringerem Abstand wird die Entartung immer weiter aufgehoben <strong>und</strong> die zunächst<br />
um ca 10 eV auseinanderliegenden 1s <strong>und</strong> 2s Zustände nähern sich wie in der<br />
Figur angedeutet einander an.<br />
eV(x)=E pot<br />
Setzt man in einem linearen Modell<br />
Leitungsband N Atome äquidistant aneinander,<br />
∆E dann erhält man eine Reihe von gleichen<br />
Potentialen, die schwach gekop-<br />
Valenzband<br />
x<br />
pelt sind, <strong>und</strong> damit eine N-fache<br />
Aufhebung der Entartung 33 zu einer Bandstruktur in einem Festkörper mit einer angenähert<br />
regelmässigen Struktur. Im tieferen Valenzband sind alle Zustände besetzt <strong>und</strong><br />
eine Leitung ist wegen des Pauli-Prinzips 34 nicht möglich. Das Leitungsband ist leer,<br />
eine Leitung ist nicht möglich, wenn Elektronen aus dem Valenzband die Energiedifferenz<br />
∆E nicht überwinden können, dieser Festkörper ist ein Isolator. Ist die Bandlücke ∆E<br />
klein, dann ist dieser Festkörper bei tiefen Temperaturen ein Isolator. Bei 300 K kann<br />
nur eine Energie von 0.026=1/40 eV aufgenommen werden. Bei sehr hohen Temperaturen<br />
kann durch die thermische Energie die Bandlücke überw<strong>und</strong>en werden <strong>und</strong> es entsteht ein<br />
Eigenhalbleiter. Metalle (gute Leiter), Isolatoren <strong>und</strong> Halbleiter unterscheiden sich damit<br />
E pot<br />
durch die Bandlücke ∆E:<br />
leeres<br />
Leitungsband Metalle: ∆E < 0, beide Bänder<br />
∆E überlappen <strong>und</strong> beliebig viele<br />
gefulltes " Elektronen können aus dem Valenzband<br />
im Leitungsband zur<br />
Valenzband<br />
Leiter<br />
Isolator<br />
Leitung beitragen.<br />
Isolatoren: ∆E > 3 eV, das Leitungsband ist leer, es ist kaum Eigenleitung möglich<br />
(∆E ≈7 eV für Diamant).<br />
Halbleiter: 0 < ∆E < 3 eV, es ist eine schwache Eigenleitung möglich (1.1 eV für Si).<br />
Verunreinigungen (Dotierung als kontrollierte Verunreinigung)<br />
verschieben das Valenz- <strong>und</strong> Leitungsband <strong>und</strong><br />
leeres<br />
E pot Leitungsband<br />
- - - - - Elektronen können damit positive (Donatoren, Löcherleitung) oder negative<br />
(Akzeptoren, Elektronenleitung) Ladungsträger, die<br />
+ + + + + + +<br />
Donatoren<br />
- - - - - - Akzeptoren ∆E<br />
+ + + + + + Locher "<br />
nahe (≈ 0.03 eV) an den Bändern liegen, in das Valenzband,<br />
bzw. Leitungsband liefern <strong>und</strong> damit die Eigenschaft<br />
gefulltes " Valenzband<br />
eines Halbleiters als p- oder n-Leiter erzeugen.<br />
Halbleiterbauelemente<br />
Die Halbleiterdiode<br />
+ Locher "<br />
- Elektronen<br />
- - + - + + +<br />
+<br />
+<br />
-<br />
+<br />
-<br />
+<br />
+<br />
+<br />
- + - -<br />
- -<br />
+<br />
-<br />
-<br />
-<br />
+<br />
+<br />
n-Halbleiter p-Halbleiter<br />
E pot<br />
Leitungsband<br />
n-Seite<br />
+<br />
-<br />
-<br />
ladungsarmer<br />
Ubergang "<br />
Valenzband<br />
p-Seite<br />
In Halbleiterbauelementen wie Dioden <strong>und</strong> Transistoren sind n- <strong>und</strong> p-Leiter miteinander<br />
verb<strong>und</strong>en, zwischen beiden bildet sich eine Übergangszone aus. Wegen der unterschied-<br />
33 Vgl. Zustände gekoppelter Schwingungen Kap. ??.<br />
34 Nach der Quantenmechanik können Teilchen mit einem Spin=1/2 nicht gleichzeitig denselben Zustand<br />
einnehmen. In der Potentialkette kann sich daher netto keine Ladung bewegen, da alle Zustände<br />
des Valenzbandes besetzt sind.<br />
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