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Elektrizität und Magnetismus - Physik-Institut - Universität Zürich

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Bei noch geringerem Abstand wird die Entartung immer weiter aufgehoben <strong>und</strong> die zunächst<br />

um ca 10 eV auseinanderliegenden 1s <strong>und</strong> 2s Zustände nähern sich wie in der<br />

Figur angedeutet einander an.<br />

eV(x)=E pot<br />

Setzt man in einem linearen Modell<br />

Leitungsband N Atome äquidistant aneinander,<br />

∆E dann erhält man eine Reihe von gleichen<br />

Potentialen, die schwach gekop-<br />

Valenzband<br />

x<br />

pelt sind, <strong>und</strong> damit eine N-fache<br />

Aufhebung der Entartung 33 zu einer Bandstruktur in einem Festkörper mit einer angenähert<br />

regelmässigen Struktur. Im tieferen Valenzband sind alle Zustände besetzt <strong>und</strong><br />

eine Leitung ist wegen des Pauli-Prinzips 34 nicht möglich. Das Leitungsband ist leer,<br />

eine Leitung ist nicht möglich, wenn Elektronen aus dem Valenzband die Energiedifferenz<br />

∆E nicht überwinden können, dieser Festkörper ist ein Isolator. Ist die Bandlücke ∆E<br />

klein, dann ist dieser Festkörper bei tiefen Temperaturen ein Isolator. Bei 300 K kann<br />

nur eine Energie von 0.026=1/40 eV aufgenommen werden. Bei sehr hohen Temperaturen<br />

kann durch die thermische Energie die Bandlücke überw<strong>und</strong>en werden <strong>und</strong> es entsteht ein<br />

Eigenhalbleiter. Metalle (gute Leiter), Isolatoren <strong>und</strong> Halbleiter unterscheiden sich damit<br />

E pot<br />

durch die Bandlücke ∆E:<br />

leeres<br />

Leitungsband Metalle: ∆E < 0, beide Bänder<br />

∆E überlappen <strong>und</strong> beliebig viele<br />

gefulltes " Elektronen können aus dem Valenzband<br />

im Leitungsband zur<br />

Valenzband<br />

Leiter<br />

Isolator<br />

Leitung beitragen.<br />

Isolatoren: ∆E > 3 eV, das Leitungsband ist leer, es ist kaum Eigenleitung möglich<br />

(∆E ≈7 eV für Diamant).<br />

Halbleiter: 0 < ∆E < 3 eV, es ist eine schwache Eigenleitung möglich (1.1 eV für Si).<br />

Verunreinigungen (Dotierung als kontrollierte Verunreinigung)<br />

verschieben das Valenz- <strong>und</strong> Leitungsband <strong>und</strong><br />

leeres<br />

E pot Leitungsband<br />

- - - - - Elektronen können damit positive (Donatoren, Löcherleitung) oder negative<br />

(Akzeptoren, Elektronenleitung) Ladungsträger, die<br />

+ + + + + + +<br />

Donatoren<br />

- - - - - - Akzeptoren ∆E<br />

+ + + + + + Locher "<br />

nahe (≈ 0.03 eV) an den Bändern liegen, in das Valenzband,<br />

bzw. Leitungsband liefern <strong>und</strong> damit die Eigenschaft<br />

gefulltes " Valenzband<br />

eines Halbleiters als p- oder n-Leiter erzeugen.<br />

Halbleiterbauelemente<br />

Die Halbleiterdiode<br />

+ Locher "<br />

- Elektronen<br />

- - + - + + +<br />

+<br />

+<br />

-<br />

+<br />

-<br />

+<br />

+<br />

+<br />

- + - -<br />

- -<br />

+<br />

-<br />

-<br />

-<br />

+<br />

+<br />

n-Halbleiter p-Halbleiter<br />

E pot<br />

Leitungsband<br />

n-Seite<br />

+<br />

-<br />

-<br />

ladungsarmer<br />

Ubergang "<br />

Valenzband<br />

p-Seite<br />

In Halbleiterbauelementen wie Dioden <strong>und</strong> Transistoren sind n- <strong>und</strong> p-Leiter miteinander<br />

verb<strong>und</strong>en, zwischen beiden bildet sich eine Übergangszone aus. Wegen der unterschied-<br />

33 Vgl. Zustände gekoppelter Schwingungen Kap. ??.<br />

34 Nach der Quantenmechanik können Teilchen mit einem Spin=1/2 nicht gleichzeitig denselben Zustand<br />

einnehmen. In der Potentialkette kann sich daher netto keine Ladung bewegen, da alle Zustände<br />

des Valenzbandes besetzt sind.<br />

38

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