CUPRINS

Dar în regiunea n concentraţia de goluri este foarte redusă (se datoreză numai conductivităţii intrinseci şi
migraţiei din zona p). În mod similar, în zona p concentraţia de electroni este redusă. De aceea la
polarizare negativă pe zona p a diodei se obţin curenţi foarte reduşi (vezi fig.6.2.b).
a) Joncţiunea p-n în circuit
b) caracteristica curent tensiune
Fig.6.2. Dioda semiconductoare
O analiză cantitativă a procesului arată că relaţia dintre tensiunea şi intensitatea curentului electric prin
diodă este de forma:
eU
⎛ ⎞
⎜ kT
I = I ⎟
0 e −1
(6.2)
⎝ ⎠
unde I 0 este o constantă caracteristică tipului de semiconductor, e este sarcina electronului, k este
constanta lui Boltzmann, iar T este temperatura absolută.
Tranzistorul. Un tranzistor este un dispozitiv format din două joncţiuni p-n, aşezate în
configuraţia p-n-p sau n-p-n. Cele trei zone ale tranzistorului se numesc bază, emitor şi colector, fiind
legate în circuitul tranzistorului p-n-p ca în fig.6.3.
Fig.6.3. Tranzistorul p-n-p în circuit.
Se observă că tensiunea bază-colector este cu polarizare inversă, ceea ce va determina ca în absenţa sursei
dintre emitor şi bază, prin colector să treacă un curent foate redus. Aceste curent reprezintă efectul
polarizării inverse a unei joncţiuni p-n. Dar dacă între emitor şi bază se aplică o tensiune directă, U e , aşa
cum se vede în fig.6.3, atunci golurile din emitor se pun în mişcare şi trec prin bază, spre joncţiunea bază
-colector. Ele trec apoi şi prin colector, generând un curent electric prin rezistenţa din circuitul bază-
159