Etude de capacités en couches minces à base d'oxydes métalliques ...

tel-00141132, version 1 - 11 Apr 2007
Chapitre 3 : Etude de capacités MIM à base de STO et BTO
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Figure 3-11 : Spectre de diffraction θ-2θ des échantillons recuits à 625°C. Les pics de diffraction du Pt et
du Si sont dus au substrat.
Les résultats obtenus révèlent un changement de l’orientation prédominante du BTO. Pour les
échantillons n°1, 2, 3 et 6, les rapports des pics sont proches de ceux observés pour le
diagramme de poudre, pour lequel on a une orientation aléatoire des grains. L’intensité des
pics pour ces échantillons est également assez faible : ils présentent probablement un
cristallinité moins importante que les autres. Ces échantillons possèdent des constantes
diélectriques parmi les plus faibles de l’ensemble des échantillons. Pour les autres
échantillons, présentant des constantes diélectriques plus élevées à l’exception de
l’échantillon n°11, les pics 001 ou 100 deviennent prédominants sur les pics 101 ou 110.
Cette inversion pourrait avoir une influence sur la constante diélectrique mesurée. En effet,
dans la phase quadratique, la constante diélectrique peut être dissociée en deux composantes :
suivant l’axe c et suivant l’axe a. Dans le matériau massif, les valeurs de ces deux
composantes sont très éloignées. On a : εa=3000, εc=200 à température ambiante [14]. Il est
donc possible que l’orientation dans laquelle le BTO déposé cristallise influe sur la valeur de
la constante diélectrique mesurée.
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BTO JCPDS-ICDD
Pt JCPDS-ICDD
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