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Etude de capacités en couches minces à base d'oxydes métalliques ...

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tel-00141132, version 1 - 11 Apr 2007<br />

Chapitre 2 : Elaboration <strong>de</strong> films <strong>minces</strong> <strong>de</strong> STO et BTO<br />

2.2.4. Autres applications<br />

Ces matériaux sont égalem<strong>en</strong>t utilisés dans :<br />

• Les composants optoélectroniques [34] tels que <strong>de</strong>s modulateurs rapi<strong>de</strong>s (> 20 GHz),<br />

<strong>de</strong>s dispositifs <strong>de</strong> filtres couleurs, <strong>de</strong>s écrans, <strong>de</strong>s systèmes <strong>de</strong> stockage d’images ou <strong>de</strong>s<br />

commutateurs optiques. Pour ses applications il faut déposer <strong>de</strong>s films épitaxiés <strong>de</strong> très bonne<br />

qualité pour diminuer les pertes optiques,<br />

• Les détecteurs pyroélectriques [35] : les propriétés pyroélectriques particulières <strong>de</strong>s<br />

composés ferroélectriques peuv<strong>en</strong>t être utilisées pour la détection thermique ou l’imagerie<br />

(IR). Les détecteurs infrarouges pyroélectriques sont s<strong>en</strong>sibles aux variations <strong>de</strong> température<br />

produites par le rayonnem<strong>en</strong>t infrarouge. Ils sont utilisés notamm<strong>en</strong>t dans la détection<br />

d’intrusion dans les locaux.<br />

• Les actionneurs piézoélectriques [36] : les excell<strong>en</strong>tes propriétés piézoélectriques <strong>de</strong>s<br />

matériaux ferroélectriques <strong>en</strong> font <strong>de</strong>s matériaux très utilisés dans les MEMS<br />

(MicroElectroMechnical Systems), domaine d’application <strong>en</strong> plein essor actuellem<strong>en</strong>t.<br />

2.3. Etat <strong>de</strong> l’art <strong>de</strong>s MIM STO et BTO<br />

De nombreuses étu<strong>de</strong>s ont été m<strong>en</strong>ées sur l’intégration <strong>de</strong> STO et BTO <strong>en</strong> structure MIM.<br />

De nombreux procédés <strong>de</strong> dépôt ont été testés pour ces <strong>de</strong>ux matériaux. On retrouve <strong>de</strong>s<br />

métho<strong>de</strong>s <strong>de</strong> dépôt physique (pulvérisation cathodique (PVD), ablation laser (PLD),<br />

pulvérisation par faisceau d’ions (IBS)) et <strong>de</strong>s métho<strong>de</strong>s par voie chimique (sol-gel,<br />

MOCVD).<br />

Le Tableau 2-2 et le Tableau 2-3 prés<strong>en</strong>t<strong>en</strong>t quelques référ<strong>en</strong>ces concernant respectivem<strong>en</strong>t le<br />

STO et le BTO <strong>en</strong> indiquant la technique <strong>de</strong> dépôt, l’empilem<strong>en</strong>t réalisé, la température du<br />

procédé (au cours du dépôt et/ou lors du recuit) (paramètre important <strong>en</strong> vue <strong>de</strong> l’intégration<br />

Above IC) ainsi que la valeur <strong>de</strong> constante diélectrique et <strong>de</strong>s informations sur les pertes.<br />

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