Etude de capacités en couches minces à base d'oxydes métalliques ...
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tel-00141132, version 1 - 11 Apr 2007<br />

Chapitre 1 : Problématique<br />

Tableau 1-3 : <strong>Etu<strong>de</strong></strong>s sur différ<strong>en</strong>ts high-k <strong>en</strong> structure MIM.<br />

Réf. Matériau Métho<strong>de</strong><br />

<strong>de</strong> dépôt<br />

Température<br />

du procédé<br />

[16] Si3N4 PECVD 250°C Metal/Si3N4/metal/GaAs εr = 6,8 2,9 nF/mm²<br />

[17] Ta2O5<br />

Empilem<strong>en</strong>t εr D<strong>en</strong>sité <strong>de</strong> capacité Courant <strong>de</strong> fuite Linéarité<br />

PECVD 200°C Al/TiN/Ta2O5/TiN/Al/Si εr = 24,6 5,3 nF/mm² ~10 -6 A/cm² @ 1MV/cm<br />

LPCVD 400°C Al/TiN/Ta2O5/TiN/Al/Si εr = 24,1 5,1 nF/mm² ~10 -5 A/cm² @ 1MV/cm<br />

[18] Ta2O5 MOSD 750°C Pt/Ta2O5/Pt/Si εr = 51,7 3 nF/mm²

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