Etude de capacités en couches minces à base d'oxydes métalliques ...

tel-00141132, version 1 - 11 Apr 2007
Chapitre 2 : Elaboration de films minces de STO et BTO
Porte-substrat (4)
Figure 2-23 : Photo de l’enceinte du bâti.
La première source d’ions (1) dirigée vers la cible (2) assure la pulvérisation du matériau qui
se condense sur le substrat. Cette source de pulvérisation possède un jeu de grilles qui focalise
le faisceau afin d’augmenter localement la densité de courant ionique sur la cible. La seconde
source d’ions (3), dirigée vers le porte-substrat (4), produit un faisceau d’ions moins dense et
moins énergétique (quelques centaines d’eV) qui assiste la croissance de la couche sans en
provoquer une pulvérisation totale. Cette source d’assistance possède un jeu de grilles qui
fournit un faisceau d’ions divergent.
Grâce au porte-cible tournant à trois positions les cibles de BTO et STO sont présentes
simultanément dans le bâti ce qui permet de faire les dépôts de multicouches sans interruption
ni remise à l’air des substrats.
Système de chauffage
Canon d’assistance (3)
Cible (2)
Les deux cibles de 360 mm de diamètre et de 6,3 mm d’épaisseur de BaTiO3 et SrTiO3 ont
été réalisées par pressage à chaud. La pureté garantie des cibles est de 99,99 % pour le BTO et
99,95 % pour le STO. La densité annoncée est supérieure à 90% de la densité théorique.
Canon de pulvérisation
principal (1)
Le porte-échantillon de type satellite (mouvement de rotation autour de 2 axes) permet
d’obtenir une bonne uniformité en épaisseur. Un cache amovible placé devant le porte-
substrat permet de faire une pré-pulvérisation avant chaque dépôt afin de « nettoyer » la cible
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