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Etude de capacités en couches minces à base d'oxydes métalliques ...

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tel-00141132, version 1 - 11 Apr 2007<br />

Chapitre 2 : Elaboration <strong>de</strong> films <strong>minces</strong> <strong>de</strong> STO et BTO<br />

effet, après dépôt, les <strong>couches</strong> obt<strong>en</strong>ues sont amorphes, les dépôts n’étant pas effectués <strong>à</strong><br />

suffisamm<strong>en</strong>t haute température.<br />

Le recuit utilisé est un recuit classique pour lequel le chauffage est produit par effet joule <strong>à</strong><br />

partir d’un <strong>en</strong>roulem<strong>en</strong>t <strong>de</strong> cuivre autour <strong>de</strong> l’<strong>en</strong>ceinte. L’inconvéni<strong>en</strong>t d’un recuit classique<br />

est que le temps d’exposition est long et les bilans thermiques mis <strong>en</strong> jeu sont beaucoup plus<br />

importants que dans le cas d’un recuit rapi<strong>de</strong>.<br />

Ce recuit a été effectué dans <strong>de</strong>ux fours différ<strong>en</strong>ts : TTH25 et TTH59. La différ<strong>en</strong>ce <strong>en</strong>tre ces<br />

<strong>de</strong>ux équipem<strong>en</strong>ts rési<strong>de</strong> principalem<strong>en</strong>t dans le fait que les phases du recuit ne sont pas les<br />

mêmes.<br />

Dans le TTH25 le recuit comporte trois phases : la rampe <strong>de</strong> montée <strong>en</strong> température, le<br />

plateau isotherme et la <strong>de</strong>sc<strong>en</strong>te jusqu’<strong>à</strong> température ambiante.<br />

Dans le TTH59 le recuit est isotherme car l’échantillon <strong>à</strong> recuire est introduit directem<strong>en</strong>t<br />

dans le four <strong>à</strong> température <strong>de</strong> travail.<br />

6. Conclusion du chapitre<br />

Ce chapitre nous a permis <strong>de</strong> situer et <strong>de</strong> prés<strong>en</strong>ter les matériaux pérovskite high-k se trouvant<br />

au c<strong>en</strong>tre <strong>de</strong> cette étu<strong>de</strong> : SrTiO3 et BaTiO3.<br />

Nous avons fait un état <strong>de</strong> l’art plus précis <strong>de</strong> leur intégration <strong>en</strong> structure MIM prés<strong>en</strong>tant <strong>de</strong>s<br />

données sur l’élaboration <strong>de</strong> <strong>couches</strong> <strong>minces</strong> <strong>de</strong> STO et BTO et leur caractérisation électrique<br />

(constante diélectrique, courants <strong>de</strong> fuite).<br />

Enfin nous avons abordé la pulvérisation par faisceau d’ions, technique <strong>de</strong> pulvérisation que<br />

nous avons mise <strong>en</strong> œuvre afin <strong>de</strong> réaliser nos <strong>couches</strong> <strong>minces</strong> <strong>de</strong> STO et BTO ainsi que les<br />

techniques d’élaboration <strong>de</strong>s <strong>capacités</strong> high-k : principalem<strong>en</strong>t l’élaboration <strong>de</strong> l’électro<strong>de</strong><br />

supérieure et le recuit indisp<strong>en</strong>sable <strong>à</strong> la cristallisation <strong>de</strong> nos diélectriques. Ces étapes ont été<br />

réalisées <strong>en</strong> vue <strong>de</strong> la caractérisation <strong>de</strong> nos matériaux high-k d’un point <strong>de</strong> vue physico-<br />

chimique comme d’un point <strong>de</strong> vue électrique, les <strong>de</strong>ux étant très liés comme nous avons pu<br />

le voir dans la prés<strong>en</strong>tation <strong>de</strong> leurs comportem<strong>en</strong>ts.<br />

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