Etude de capacités en couches minces à base d'oxydes métalliques ...

tel-00141132, version 1 - 11 Apr 2007
Chapitre 3 : Etude de capacités MIM à base de STO et BTO
1e18
1e17
1e16
1e15
1e14
Log (Counts) 1e13
N°13
N°12
N°11
N°10
N°9
N°8
N°7
N°6
N°5
N°4
N°3
N°2
N°1
110
Pt 111
200
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
2-Theta - Scale
211 Si
Figure 3-17 : Spectres de diffraction θ-2θ des échantillons de STO recuits à 650°C. Les pics du Pt et du Si
sont dus au substrat.
Si
Pt 222
Tableau 3-17 : Données issues des caractérisations de diffraction X analysées à l’aide du logiciel
LUMIERE
n° échantillons Position pic 211 °
Facteur
d’orientation
1 57,88 19,2
2 57,90 15,2
3 57,94 15,7
4 57,93 15,9
5 57,79 13,2
6 57,87 24,2
7 57,96 18
8 57,94 15,6
9 57,88 13,5
10 57,96 18
11 57,91 14,1
12 57,88 28,6
13 57,91 13,7
128