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Etude de capacités en couches minces à base d'oxydes métalliques ...

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tel-00141132, version 1 - 11 Apr 2007<br />

Annexes<br />

Annexe 6 : Procédés d’élaboration mis <strong>en</strong> œuvre pour la<br />

compréh<strong>en</strong>sion <strong>de</strong>s variations <strong>de</strong> constantes diélectriques<br />

Le procédé d’élaboration <strong>de</strong>s <strong>capacités</strong> est le même jusqu’<strong>à</strong> l’étape <strong>de</strong> dépôt du STO incluse.<br />

On prés<strong>en</strong>te donc ici les procédés d’élaboration appliqués <strong>à</strong> nos échantillons après dépôt du<br />

STO.<br />

Plaque P17 : lift-off<br />

• Dépôt résine, recuite 115°C 2 min sur plaque chauffante<br />

• Insolation et développem<strong>en</strong>t <strong>de</strong> la résine<br />

• Etuvage 100°C 1h<br />

• Dépôt Pt<br />

• Lift-off<br />

• Recuit <strong>de</strong> cristallisation 450°C 1h<br />

Plaque P18 : recuit avant usinage ionique (cf technologie « 100 mm »)<br />

• Etuvage 100°C 1h<br />

• Dépôt Pt<br />

• Recuit <strong>de</strong> cristallisation 450°C 1h<br />

• Dépôt résine, recuite 115°C 2 min sur plaque chauffante<br />

• Insolation et développem<strong>en</strong>t <strong>de</strong> la résine<br />

• Usinage ionique du Pt<br />

• Retrait résine<br />

Plaque P19 : recuit après usinage ionique<br />

• Etuvage 100°C 1h<br />

• Dépôt Pt<br />

• Dépôt résine, recuite 115°C 2 min sur plaque chauffante<br />

• Insolation et développem<strong>en</strong>t <strong>de</strong> la résine<br />

• Usinage ionique du Pt<br />

• Retrait résine<br />

• Recuit <strong>de</strong> cristallisation 450°C 1h<br />

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