Etude de capacités en couches minces à base d'oxydes métalliques ...

tel-00141132, version 1 - 11 Apr 2007
Chapitre 4 : Lien entre structure cristallographique et propriétés électriques
CPS (a.u.)
BTO
(100)
400 nm
100 nm
BTO
(110)
Si
Pt
(111)
20 25 30 35 40 45 50 55 60
théta- 2-theta (°)
BTO
(200)
Pt
(200)
BTO
(210)
BTO
(211)
Figure 4-20 : Spectres de diffraction X en mode θ-2θ pour les deux épaisseurs de BTO.
Pour expliquer cette orientation, on peut noter que le BTO (100) peut croître de manière quasi
épitaxiale sur le Pt (111) comme on le voit sur la Figure 4-21. Dans cette figure, le premier
plan du BTO (001) est dessiné sur le dernier plan du Pt (111). La position des atomes a été
dessinée afin de pouvoir vérifier visuellement la relation d’épitaxie.
a.
b.
111
Pt
001
BTO
11-2
-110
1-10
110
Figure 4-21 : Vue de dessus du premier plan de BTO (001) sur le dernier plan du Pt (111) –
a : cas du BTO non contraint – b : cas du BTO contraint
Dans cette configuration, les relations d’épitaxie sont les suivantes :
• Pt ( 1 1 0)
// BTO ( )
• Pt ( 11 2)
// BTO ( 10)
110 avec une disparité de -2,1%,
1 avec une disparité de 11,25%.
165
O
Ba
Pt