Etude de capacités en couches minces à base d'oxydes métalliques ...

tel-00141132, version 1 - 11 Apr 2007
Chapitre 5 : Influence du procédé d’élaboration des capacités sur leurs performances
La Figure 5-19 présente un spectre obtenu lors d’une analyse SIMS (Secondary Ion Mass
Spectroscopy) réalisée à l’aplomb d’une capacité.
c/s
1000000
100000
10000
1000
100
Figure 5-19 : Spectre SIMS réalisé à l’aplomb d’une capacité.
Pour clarifier la figure, les spectres de l’Al et du Si n’ont pas été représentés.
On retrouve bien toutes les couches de l’empilement Pt/STO/Pt/TiO2/SiO2 réalisé. En ce qui
concerne l’allure générale des courbes, leurs pentes peuvent avoir plusieurs origines :
• l’abrasion réalisée lors de l’analyse,
• la diffusion des espèces dans les différentes couches,
• la rugosité des interfaces.
Les pentes de la courbe de Pt dans le domaine du STO sont probablement dues à la nature des
interfaces STO/Pt que nous avons étudiées précédemment (§1.1.2). Dans le Pt supérieur, les
pentes du Sr, du Ti et de l’O décroissent de la même façon, il y a donc probablement une
légère diffusion du STO dans le Pt.
On observe aux interfaces de légers pics dans les différentes courbes, ceux-ci sont dus à des
artefacts de mesure. Toutefois un pic du Ti un peu plus grand à l’interface entre le STO et le
Pt inférieur indique une légère accumulation de Ti à cette interface.
Dans la couche de STO, les courbes du Sr, du Ti et de l’O sont planes, le STO est donc stable
même après le recuit de cristallisation.
10
Pt
STO
1
750 1250 1750 2250 2750 3250 3750
s
Pt
TiO2
SiO2
Ti
Sr
O
Pt
201