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Etude de capacités en couches minces à base d'oxydes métalliques ...

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tel-00141132, version 1 - 11 Apr 2007<br />

Chapitre 2 : Elaboration <strong>de</strong> films <strong>minces</strong> <strong>de</strong> STO et BTO<br />

5.2.1. Elaboration par lift-off<br />

L’électro<strong>de</strong> supérieure est réalisée par photolithographie. De la résine positive est étalée sur le<br />

high-k puis insolée avec <strong>de</strong>s ultraviolets <strong>à</strong> travers un masque. La plaque est <strong>en</strong>suite plongée<br />

dans un révélateur qui dissout les zones insolées tandis que les zones non insolées rest<strong>en</strong>t<br />

intactes. Cette étape permet <strong>de</strong> définir la taille <strong>de</strong> l’électro<strong>de</strong> supérieure et ainsi l’aire du<br />

con<strong>de</strong>nsateur. Le matériau d’électro<strong>de</strong> (Au ou Pt) est <strong>en</strong>suite déposé par pulvérisation sur<br />

l’<strong>en</strong>semble <strong>de</strong> la plaque avec une épaisseur d’<strong>en</strong>viron 100 nm. La <strong>de</strong>rnière étape <strong>de</strong> ce<br />

procédé est le lift-off qui consiste <strong>à</strong> dissoudre la résine restante <strong>à</strong> l’ai<strong>de</strong> d’un solvant (acétone).<br />

Le platine prés<strong>en</strong>t sur la résine est alors éliminé avec celle-ci et il ne reste que le platine<br />

directem<strong>en</strong>t déposé sur le matériau high-k. L’<strong>en</strong>semble du procédé est décrit dans la Figure<br />

2-25.<br />

a) étalem<strong>en</strong>t et cuisson <strong>de</strong><br />

la résine 2min <strong>à</strong> 115°C<br />

Figure 2-25 : Elaboration <strong>de</strong> l’électro<strong>de</strong> supérieure par lift-off.<br />

Pour les mesures électriques, le contact avec l’électro<strong>de</strong> inférieure se fait par les bords <strong>de</strong><br />

l’échantillon.<br />

High-k<br />

Pt<br />

TiO 2<br />

SiO 2<br />

Si<br />

Pt<br />

High-k<br />

Pt<br />

TiO 2<br />

SiO 2<br />

Si<br />

d) dépôt du Pt sur toute la<br />

surface <strong>de</strong> la plaque<br />

masque<br />

UV<br />

High-k<br />

Pt<br />

TiO 2<br />

SiO 2<br />

Si<br />

b) insolation <strong>de</strong> la résine <strong>à</strong><br />

travers un masque<br />

Pt<br />

High-k<br />

Pt<br />

TiO 2<br />

SiO 2<br />

Si<br />

e) lift-off : retrait <strong>de</strong> la<br />

résine, seul le Pt <strong>en</strong> contact<br />

avec le high-k reste<br />

High-k<br />

Pt<br />

TiO 2<br />

SiO 2<br />

Si<br />

c) développem<strong>en</strong>t <strong>de</strong> la<br />

résine : les zones insolées<br />

sont dissoutes<br />

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