Etude de capacités en couches minces à base d'oxydes métalliques ...
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tel-00141132, version 1 - 11 Apr 2007<br />
Chapitre 3 : <strong>Etu<strong>de</strong></strong> <strong>de</strong> <strong>capacités</strong> MIM <strong>à</strong> <strong>base</strong> <strong>de</strong> STO et BTO<br />
<strong>en</strong>g<strong>en</strong>dre une certaine organisation <strong>de</strong>s atomes qui <strong>de</strong>man<strong>de</strong> une plus gran<strong>de</strong> quantité<br />
d’énergie pour se transformer <strong>en</strong> phase pérovskite que lorsque le dépôt est réalisé <strong>à</strong><br />
température ambiante.<br />
Dans notre cas, afin <strong>de</strong> réduire cette température <strong>de</strong> transition nous avons donc intérêt <strong>à</strong><br />
réaliser nos dépôts <strong>de</strong> STO <strong>à</strong> température ambiante. Une analyse EXAFS (Ext<strong>en</strong><strong>de</strong>d X-ray<br />
Absorption Fine Structure) permettant d’étudier les matériaux amorphes déposés <strong>à</strong> différ<strong>en</strong>tes<br />
températures sera prés<strong>en</strong>tée dans le chapitre suivant afin <strong>de</strong> mieux compr<strong>en</strong>dre les<br />
phénomènes <strong>en</strong>trant <strong>en</strong> jeu.<br />
3.5. Analyses complém<strong>en</strong>taires.<br />
3.5.1. Caractérisation par DRX<br />
Des échantillons <strong>de</strong> STO recuits <strong>à</strong> 650°C p<strong>en</strong>dant 1h ont été analysés <strong>en</strong> diffractométrie θ-2θ<br />
(Figure 3-17). Les spectres <strong>de</strong> diffraction obt<strong>en</strong>us montr<strong>en</strong>t que tous les échantillons sont<br />
cristallisés dans la phase cubique. Ils sont très similaires et ne prés<strong>en</strong>t<strong>en</strong>t pas, <strong>à</strong> première vue,<br />
<strong>de</strong> différ<strong>en</strong>ce flagrante <strong>en</strong>tre les échantillons pouvant expliquer <strong>de</strong>s variations <strong>de</strong>s propriétés<br />
électriques.<br />
Nous avons t<strong>en</strong>té <strong>de</strong> démontrer une influ<strong>en</strong>ce <strong>de</strong>s paramètres <strong>de</strong> dépôt sur la cristallisation, et<br />
plus particulièrem<strong>en</strong>t sur l’ori<strong>en</strong>tation du STO, <strong>en</strong> analysant le rapport <strong>de</strong>s int<strong>en</strong>sités <strong>de</strong>s pics<br />
110/211 (seuls pics qui ne sont pas perturbés par les raies du Pt) appelé facteur d’ori<strong>en</strong>tation,<br />
et sur la position du pic 211. Le tableau 3-17 prés<strong>en</strong>te les données issues <strong>de</strong>s caractérisations<br />
<strong>de</strong> diffractions X.<br />
Il ressort <strong>de</strong> cette analyse que les paramètres influant sur l’ori<strong>en</strong>tation du STO sont les<br />
paramètres relatifs au canon <strong>de</strong> pulvérisation (effet positif) et l’épaisseur (effet négatif).<br />
La position du pic 211 dép<strong>en</strong>d égalem<strong>en</strong>t <strong>de</strong>s mêmes paramètres : une augm<strong>en</strong>tation <strong>de</strong> la<br />
t<strong>en</strong>sion <strong>de</strong> faisceau du canon principal provoque un décalage du pic vers les petits angles ce<br />
qui indique une augm<strong>en</strong>tation du paramètre <strong>de</strong> maille hors plan, alors que l’augm<strong>en</strong>tation du<br />
courant d’ions ou <strong>de</strong> l’épaisseur provoqu<strong>en</strong>t un décalage du pic vers les grands angles<br />
indiquant une diminution du paramètre <strong>de</strong> maille.<br />
Il semble donc difficile <strong>de</strong> faire une corrélation avec les réponses précé<strong>de</strong>mm<strong>en</strong>t étudiées (εr<br />
et Ttr).<br />
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