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Etude de capacités en couches minces à base d'oxydes métalliques ...

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tel-00141132, version 1 - 11 Apr 2007<br />

Chapitre 5 : Influ<strong>en</strong>ce du procédé d’élaboration <strong>de</strong>s <strong>capacités</strong> sur leurs performances<br />

4. Conclusion du chapitre<br />

Ce chapitre a permis <strong>de</strong> montrer que les performances <strong>de</strong>s <strong>capacités</strong> peuv<strong>en</strong>t être gran<strong>de</strong>m<strong>en</strong>t<br />

influ<strong>en</strong>cées par la technologie mise <strong>en</strong> œuvre. Trois étu<strong>de</strong>s ont été m<strong>en</strong>ées sur :<br />

• L’épaisseur du diélectrique,<br />

• La nature <strong>de</strong>s électro<strong>de</strong>s,<br />

• Le procédé d’élaboration <strong>de</strong> l’électro<strong>de</strong> supérieure.<br />

Nous avons montré que la diminution <strong>de</strong> l’épaisseur <strong>de</strong> diélectrique permettait non seulem<strong>en</strong>t<br />

d’optimiser la capacité surfacique mais égalem<strong>en</strong>t <strong>de</strong> diminuer les courants <strong>de</strong> fuite grâce <strong>à</strong><br />

l’abs<strong>en</strong>ce <strong>de</strong> joints <strong>de</strong> grains marqués qui représ<strong>en</strong>t<strong>en</strong>t <strong>de</strong>s chemins préfér<strong>en</strong>tiels au passage<br />

du courant.<br />

L’étu<strong>de</strong> concernant la nature <strong>de</strong>s électro<strong>de</strong>s et les courants <strong>de</strong> fuite a montré qu’il existe un<br />

régime Schottky (mécanisme <strong>à</strong> l’interface électro<strong>de</strong>/diélectrique) permettant <strong>de</strong> donner un<br />

ordre <strong>de</strong> gran<strong>de</strong>ur <strong>de</strong> la hauteur <strong>de</strong> barrière <strong>en</strong>tre le métal d’électro<strong>de</strong> et le diélectrique. Cette<br />

étu<strong>de</strong> a égalem<strong>en</strong>t montré qu’afin <strong>de</strong> réduire les courants <strong>de</strong> fuite dans les <strong>capacités</strong>, le Pt <strong>en</strong><br />

tant que matériau d’électro<strong>de</strong> est préférable <strong>à</strong> l’Au.<br />

La prés<strong>en</strong>ce d’un recuit dit <strong>de</strong> « guérison » après dépôt <strong>de</strong> l’électro<strong>de</strong> supérieure permet<br />

égalem<strong>en</strong>t d’améliorer les performances électriques <strong>de</strong>s <strong>capacités</strong> (diminution <strong>de</strong>s courants <strong>de</strong><br />

fuite) car il permet <strong>de</strong> guérir les défauts <strong>à</strong> l’interface métal/diélectrique qui apparaiss<strong>en</strong>t lors<br />

du dépôt <strong>de</strong> l’électro<strong>de</strong> supérieure.<br />

De plus, nous avons mis au point un procédé d’élaboration <strong>de</strong>s <strong>capacités</strong> MIM qui permet<br />

d’obt<strong>en</strong>ir <strong>de</strong>s valeurs <strong>de</strong> constante diélectrique élevées (supérieures <strong>à</strong> 200). Les différ<strong>en</strong>ces <strong>de</strong><br />

constante diélectrique observées selon le procédé d’élaboration sembl<strong>en</strong>t pouvoir s’expliquer<br />

par une différ<strong>en</strong>ce <strong>de</strong> taille <strong>de</strong> grain et <strong>de</strong> contraintes : la constante diélectrique du STO<br />

augm<strong>en</strong>te avec la taille <strong>de</strong> grain et les contraintes dans le film.<br />

Ainsi la meilleure structure est une structure Pt/diélectrique/Pt pour laquelle le diélectrique<br />

prés<strong>en</strong>te une épaisseur faible et est cristallisé après dépôt du métal d’électro<strong>de</strong> et avant la<br />

gravure <strong>de</strong> l’électro<strong>de</strong> supérieure par usinage ionique.<br />

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