Etude de capacités en couches minces à base d'oxydes métalliques ...

tel-00141132, version 1 - 11 Apr 2007
Chapitre 2 : Elaboration de films minces de STO et BTO
Tableau 2-3 : Etudes sur BTO intégré dans des capacités MIM.
Dépôt par voie chimique
Dépôt par voie physique
Réf.
Auteurs
Année
de dépôt
Technique
du procédé
Température
[51] Joshi et al. 1997 MOSD 600°C Au/BTO(500nm)/Pt/Si ε r = 250 J< 10 -7 A/cm² @ 100 kV/cm et tan δ = 0,025
[52] Kumazawa et al. 1999 Sol-gel 850°C Al/BTO/Pt/Si εr = 630
[53] McCormick et al. 2003 Hydrothermal Pt/BTO/Pt/Glass ε r = 100 Tan δ = 0,24 et J= 1,64.10 -3 A/cm² @ 300kV/cm
[54] Nakazawa et al. 1991 MOCVD 800°C ?/BTO/Pt/MgO εr = 1040
[55] Kwak et al. 1991 MOCVD 600°C BTO/NiCr εr = 250
[56] Van Buskirk et al. 1992 PE-MOCVD 600°C Au/BTO/Pt/Ti/ONO/Si εr = 300 Tan δ = 0,02
[57] Jia et al. 1992 RF sputtering 580°C Pd/BTO/Pd/Si εr = 107 Tan δ = 0,02
[58] Kim et al. 1996 RF sputtering 800°C Pt/BTO/Pt/MgO ε r = 800 Tan δ = 0,2
[59] Hsi et al. 2003 RF sputtering 500°C Pt/BTO(450nm)/Pt/Ti/SiO2/Si εr = 375 J< 10 -9 A/cm² @ 5V
[60] Peng etal. 1993 IBS multicible 700°C Au/BTO/Pt/Si εr = 120 Tan δ = 0,05
[61] Roy et al. 1992 PLD 600°C Au/BTO/Pt/Ti/SiO2/Si εr = 220 Tan δ = 0,02 et J = 1,8.10 -6 A/cm² @ 5V
[62] Iijima et al. 1990 Evaporation 600°C Ag/BTO/Pt εr = 550 Tan δ < 0.05
Empilement
diélectrique
Constante
Pertes
Fuites
58