Etude de capacités en couches minces à base d'oxydes métalliques ...

tel-00141132, version 1 - 11 Apr 2007
Chapitre 2 : Elaboration de films minces de STO et BTO
Tableau 2-2 : Etudes sur STO intégré dans des capacités MIM.
Dépôt par voie chimique
Dépôt par voie physique
Réf.
Auteurs
Année
de dépôt
Technique
du procédé
Température
[37] Pontes et al. 2001 Spin-coating 600°C Au/STO(360nm)/Pt/Si ε r = 250 J = 10 -7 A/cm² @ 100 kV/cm
[38] Thomas et al. 1997 Sol-gel 650°C Al/STO(1,1µm)/acier inox εr = 120 Tan δ ~ 0,05
[39] Joshi et al. 1993 MOSD 700°C Au/STO(800nm)/Pt/Si ε r = 225 Tan δ = 0,008 et J = 10 -7 A/cm² @ 100 kV/cm
[40] Funakubo et al. 1998 CVD 800°C Au/STO/Pt/Glass εr = 240 Tan δ < 0,01
[13] Yamaguchi et al. 1993 MOCVD 600°C Au/STO(40nm)/Pt/TaOx/Si εr = 140 J = 6.10 -8 A/cm² @1V
[41] Lhostis 2004 MOCVD 600°C STO/Pt/TiO2/SiO2/Si εr = 150
[42] Hahn et al. 1999 PE-MOCVD 550°C Au/STO/Pt/Si εr = 70 J ~ 10 -5 A/cm² @ 2 V
[43] Konofaos et al. 2004 RF PVD 350°C Al/STO(138nm)/ITO ε r = 120 J