Etude de capacités en couches minces à base d'oxydes métalliques ...

tel-00141132, version 1 - 11 Apr 2007
Chapitre 2 : Elaboration de films minces de STO et BTO
Avantages :
3. L’expansion du panache,
4. L’interaction panache plasma-substrat.
• Conservation de la stœchiométrie de la cible
• Très bonne adhérence (procédé énergétique)
• Pureté des dépôts
• Cristallisation des dépôts in-situ
Inconvénients :
• Inhomogénéité en épaisseur sur de grandes surfaces
• Vitesse de dépôt faible
4. La pulvérisation par faisceau d’ions
Dans le cadre de notre étude nous avons utilisé un procédé d’élaboration de type « Dépôt
Physique en phase Vapeur » : la pulvérisation par faisceau d’ions ou IBS (de l’anglais Ion
Beam Sputtering).
4.1. Généralités
La pulvérisation par faisceau d’ions est une technique de PVD dans laquelle les ions sont
produits par une source et accélérés vers le matériau à pulvériser.
Les sources d’ions, telles qu’elles sont utilisées aujourd’hui, ont tout d’abord été développées
dans le cadre du programme spatial américain à la fin des années 50. Les publications sur leur
utilisation industrielle (pour la gravure et le dépôt de matériaux) ont émergé en nombre au
début des années 70. Au début des années 80 les procédés ont évolué en terme de réactivité et
de modification des propriétés. C’est à cette époque que les sources d’ions ont connu un
développement rapide pour répondre de manière plus efficace à un grand nombre
d’applications [67].
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