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Etude de capacités en couches minces à base d'oxydes métalliques ...

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tel-00141132, version 1 - 11 Apr 2007<br />

Chapitre 1 : Problématique<br />

2.3.5. T<strong>en</strong>sion et champ <strong>de</strong> claquage<br />

Pour <strong>de</strong>s raisons <strong>de</strong> fiabilité électrique, les applications MIM nécessit<strong>en</strong>t une t<strong>en</strong>sion <strong>de</strong><br />

claquage élevée. D’une application <strong>à</strong> l’autre, les t<strong>en</strong>sions aux bornes <strong>de</strong>s con<strong>de</strong>nsateurs<br />

peuv<strong>en</strong>t varier. Les <strong>capacités</strong> MIM doiv<strong>en</strong>t pouvoir supporter <strong>de</strong>s t<strong>en</strong>sions <strong>de</strong> ± 10 V.<br />

McPherson et al. [13] ont montré que le champ <strong>de</strong> claquage EBD diminue lorsque la constante<br />

diélectrique augm<strong>en</strong>te d’après la relation suivante :<br />

−0,<br />

65<br />

EBD = 29,<br />

9 ⋅ε<br />

r<br />

Équation 1-15<br />

Il existe donc un compromis <strong>en</strong>tre champ <strong>de</strong> claquage et constante diélectrique. La Figure<br />

1-12 prés<strong>en</strong>te l’évolution du champ <strong>de</strong> claquage avec la constante diélectrique <strong>en</strong> utilisant la<br />

formule <strong>de</strong> McPherson pour différ<strong>en</strong>ts diélectriques.<br />

(MV/cm)<br />

EBD<br />

14<br />

12<br />

10<br />

8<br />

6<br />

4<br />

2<br />

0<br />

0 50 100 150 200 250 300 350 400<br />

εr<br />

Figure 1-12 : Application <strong>de</strong> la formule <strong>de</strong> McPherson <strong>à</strong> différ<strong>en</strong>ts diélectriques.<br />

2.4. Avantages et contraintes <strong>de</strong> la capacité MIM<br />

2.4.1. Avantages<br />

SiO2<br />

Si3N4<br />

Al2O3<br />

Y2O3<br />

La2O3<br />

HfO2, Ta2O5<br />

SrTiO3<br />

Les électro<strong>de</strong>s <strong>métalliques</strong> prés<strong>en</strong>t<strong>en</strong>t une résistivité très inférieure <strong>à</strong> celle du silicium ou du<br />

polysilicium, ce qui permet la diminution <strong>de</strong>s résistances d’accès.<br />

De plus, la capacité est empilable : elle peut se trouver au-<strong>de</strong>ssus <strong>de</strong>s composants actifs, <strong>de</strong>ux<br />

<strong>capacités</strong> MIM peuv<strong>en</strong>t être réalisées <strong>à</strong> <strong>de</strong>ux niveaux <strong>de</strong> métal différ<strong>en</strong>ts et être associées <strong>en</strong><br />

parallèle. Ce type d’architecture permet un gain <strong>de</strong> place important.<br />

Enfin, sa position permet <strong>de</strong> diminuer les <strong>capacités</strong> parasites par rapport au substrat.<br />

27

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