Etude de capacités en couches minces à base d'oxydes métalliques ...

tel-00141132, version 1 - 11 Apr 2007
Chapitre 3 : Etude de capacités MIM à base de STO et BTO
mêmes paramètres de dépôt. Ceci est certainement vrai dans le cas du BTO également,
toutefois les pics du Ba et du Xe étant très proches dans un spectre d’analyse RBS, ce dernier
n’a pas pu être décelé.
4. Conclusion du chapitre
Dans ce chapitre nous avons mis en évidence les paramètres de dépôt ayant une influence sur
les propriétés électriques des matériaux high-k étudiés. Le Tableau 3-20 résume les effets de
ces paramètres sur la constante diélectrique et la température de transition faible/forte
constante diélectrique.
Tableau 3-20 : Résumé des effets des paramètres de dépôt sur les propriétés électriques de STO et BTO.
BTO
STO
T O2 VCP ICP VIAD IIAD Ep
εr + + + + + +
Ttr + + -
εr + - / /
Ttr + / /
Pour STO comme pour BTO, la température de dépôt semble être un paramètre primordial
qui mérite d’être étudié plus en détails. En effet, on pourrait supposer que le fait de déposer en
température permette d’organiser les atomes de manière à ce que la température de recuit
nécessaire à la cristallisation soit moins élevée. Le fait de déposer nos matériaux à
température élevée (150°C) leur confère peut-être une structure particulière très différente de
la phase obtenue une fois les couches cristallisées, qui nécessitent plus d’énergie pour se
réarranger dans la structure pérovskite. Nous allons donc présenter dans le chapitre suivant les
résultats d’une analyse EXAFS (Extended X-ray Absorption Fine Structure, en français
Structure Fine d’Absorption X après seuil) réalisée sur des dépôts de STO cristallisés et
amorphes. En effet les techniques de caractérisations présentées dans ce chapitre, comme la
diffraction X, n’ont pas permis de différencier nos matériaux avant recuit or l’un des
avantages de l’EXAFS est la possibilité d’étudier les amorphes.
De plus la variation de constante diélectrique et particulièrement le fait que les valeurs
observées dans le cas du BTO soient faibles par rapport à la littérature nécessitent des
analyses plus poussées. Une étude sur l’évolution de l’orientation des films de BTO et de leur
constante diélectrique sera présentée dans le chapitre suivant.
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