Etude de capacités en couches minces à base d'oxydes métalliques ...

tel-00141132, version 1 - 11 Apr 2007
Chapitre 4 : Lien entre structure cristallographique et propriétés électriques
1.3.2. Analyse des échantillons amorphes
La Figure 4-18 montre les spectres de réflectivité réalisés sur des empilements
STO/Pt/TiO2/SiO2/Si pour lesquels seule la température de dépôt du STO varie (température
ambiante ou 150°C). Le STO est amorphe, les échantillons n’ont pas subi de recuit de
cristallisation.
Figure 4-18 : Spectres de réflectivité d’empilements STO/Pt/TiO 2/SiO 2/Si pour les deux températures de
dépôt du STO.
La partie des spectres qui nous intéresse est celle qui se situe en dessous de 0,3°. En effet, en
dessous de cet angle le faisceau n’entre pas dans le Pt sous-jacent et on ne voit que ce qui
concerne le STO et l’interface STO/Pt (rugosité).
La perte de signal aux alentours de 0,12° est due à l’absorption quand le faisceau commence à
entrer dans le matériau. En dessous de cet angle θc, on se trouve en réflexion totale.
La densité des couches de STO est calculée pour une valeur de réflectivité de 0,5. La densité
augmente lorsque les courbes se décalent vers les grands angles. C’est ce qu’on observe
lorsque l’on passe de la courbe du dépôt à 150°C à celle du dépôt à température ambiante. On
obtient pour le dépôt réalisé à température ambiante une densité de 4,24 g/cm 3 . La densité du
dépôt réalisé à 150°C est plus faible de 3,5% et est égale à 4,09 g/cm 3 .
La diminution de densité peut avoir plusieurs origines :
• L’augmentation de la porosité dans le matériau,
• L’augmentation des distances inter-atomiques.
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