Quimica Geral 1 - Russel.pdf

complexas, tomando-as mais claras e de mais fácil compreensão. (Por outro lado, o uso desta
estrutura é preferida em relação à fórmula estrutural, em que a falta dos pares solitários
pode induzira erros.)
8.6 REPULSÃO DOS PARES ELETRÔNICOS
Vimos que numa estrutura de Lewis cada par de pontos ao redor de um átomo central
ou principal representa o par de elétrons de valência que ocupa um orbital de cada átomo.
Como os pares de elétrons se repelem entre si devido a suas cargas, o arranjo geométrico mais
estável de pares eletrônicos é aquele em que as repulsões entre os pares são mínimas.
Encontrar estes arranjos permite-nos predizer a forma geométrica de uma molécula.
O MÉTODO VSEPR
O método para determinar a orientação mais estável dos pares eletrônicos ao redor de
um átomo central numa molécula e, a partir disto, a geometria da molécula é denominada
repulsão entre os pares eletrônicos da camada de valência ou método VSEPR (pronunciar
vesper). As suposições por trás desta teoria são:
1. Os pares eletrônicos da camada de valência do átomo central numa molécula ou num
íon poliatômico tendem a se orientar de forma que sua energia total seja mínima. Isto
significa que eles ficam tão próximos quanto possível do núcleo e ao mesmo tempo ficam o
mais afastado possível entre si, a fim de minimizar as repulsões intereletrônicas.
2. A magnitude na repulsão entre pares depende do fato dos pares eletrônicos estarem
compartilhados ou não. Se os dois pares estão compartilhados a repulsão é a mais fraca, é
intermediária entre um par solitário e um par compartilhado e é a mais forte entre dois
pares solitários. É fácil entender isto tendo em vista que a nuvem eletrônica de um par
compartilhado se espalha além do átomo central devido à atração exercida pelo núcleo do
segundo átomo, o que aumenta a distância entre esta nuvem e outros pares eletrônicos ao
redor do átomo central e, portanto, reduz as repulsões entre eles. Por outro lado, a nuvem
eletrônica de um, par solitário se espalha lateralmente e se aproxima mais dos outros pares
da camada de valência, o que leva a repulsões fortes entre os pares. As forças relativas de
possíveis repulsões intereletrônicas estão ilustradas esquematicamente na Figura 8.11.
3. Forças repulsivas decrescem bruscamente com o aumento do ângulo entre pares. São
fortes em ângulos de 90°, mais fracas em ângulos de 120° e extremamente fracas em ângulos
de 180°. Na prática, não é necessário considerar repulsões para ângulos superiores a 90°.
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