estudio y análisis de soluciones topológicas de convertidores cc - cc ...

Convertidor puente completo y rectificador doblador de corriente
que pueda arrancar y transferir energía en modo elevador, fue necesario colocar
devanados auxiliares tal como se explicó en el apartado 4.3. Como estos devanados
aparecen en el convertidor propuesto para funcionar de forma bidireccional, es
necesario estudiar la influencia que estos ejercen cuando el convertidor funciona en
modo reductor.
Por lo anterior, dos aspectos son los que se consideran para analizar la topología como
convertidor bidireccional, estos son:
• Penalización de la bidireccionalidad
• Devanados auxiliares en modo reductor
4.4.2 Penalización de la bidireccionalidad
Es importante hacer un análisis de la penalización que se tiene en el convertidor al
tener que trabajar como convertidor bidireccional. La penalización está determinada
por los niveles de tensión que deben soportar los semiconductores de potencia del
convertidor. Estos niveles de tensión, dependen del modo de operación en que se
encuentre trabajando el convertidor pudiendo ser, modo reductor o modo elevador.
Dentro de un mismo período de conmutación, los componentes del convertidor están
sometidos a distintos niveles de tensión. En este caso, el nivel de tensión que nos
importa es el máximo que soporta cada componente.
En la Tabla XXIV se presenta un resumen de las ecuaciones para calcular las
tensiones de bloqueo para cada uno de los componentes del convertidor tanto para
modo reductor como para modo elevador.
Las tensiones de bloqueo son las máximas tensiones teóricas que se presentan en los
terminales de cada uno de los componentes en un determinado intervalo dentro del
período de conmutación.
En general, es deseable que las tensiones de bloqueo sean lo menor posibles de cara a
la selección de los componentes, ya que un mismo componente de potencia que
soporte más tensión que otro, tendrá peores características eléctricas. Por ejemplo, la
resistencia en conducción (R DSON ) para los transistores MOSFETs, es mayor para
aquellos transistores que soporten mayor tensión entre drenador y fuente.
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