estudio y análisis de soluciones topológicas de convertidores cc - cc ...

Anexo II
PÉRDIDAS EN SEMICONDUCTORES MODO ELEVADOR
IRFIB7N50A C oos := 97pF
t r := 35⋅
10 − 9 s
:= Q gs := 32⋅
10 − 9 C
t f := 28⋅
10 − 9 s
R on 1.8⋅( 0.52Ω )
Puente M1 - M4
STP20NM60 C oos := 50pF
t r := 20⋅
10 − 9 s
:= Q gs := 39⋅
10 − 9 C
t f := 11⋅
10 − 9 s
R on 1.8⋅( 0.25Ω )
MOS paralelo mos := 1 V gs := 15V V DS := Vc fs = 1 × 10 5 Hz
Datos del MOSFET
SPA11N60C3 C oos := 40pF
t r := 5⋅10 − 9 s
:= Q gs := 45⋅
10 − 9 C
R on 1.8⋅( 0.34Ω )
t f := 5⋅10 − 9 s
Conducción
R on
Pon M
mos I 2
:= ⋅ Cc1ef Pon M = 0.922W Pon M ⋅4
= 3.687W
mos
Capacidad Parásita
2
P Coos := ⋅C 2 oos ⋅V DS ⋅fs
P Coos = 0.32W P Coos ⋅4
= 1.28W
Carga de Puerta Pgs := mos⋅Q gs ⋅V gs ⋅fs
Pgs = 0.068W Pgs⋅4
= 0.27W
Conmutación
⎛
1 I 2 ( d⋅T)
Psw on ⋅
2 V 1
:= DS⋅⎜
⋅t n1 r ⋅fs
Psw off := ⋅
2 V DS⋅
⎝
⎞ ⎟⎠
Psw on = 0.356W
Psw off = 0.154W
⎛
⎜
⎝
I 2 ( T)
n1
⎞
⎟
⎠
⋅t f ⋅fs
Psw := Psw on + Psw off Psw = 0.51W Psw⋅4
= 2.041W
P TM14 := Pon M ⋅4
+ Pgs⋅4
+ P Coos ⋅4
+ Psw⋅4
TOTALES M1-M4
P TM14 = 7.278W
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