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Estudio y análisis de soluciones topológicas de convertidores CC-CC bidireccionales para su aplicación en vehículos híbridos TENSIONES EN MOSFET DOWN UP FLYBACK Np := 1.. 9 Tensiones de bloqueo en Diodos y MOSFETS V M5Down ( Np, Vc) := Vc⋅ Ns Np 1 V M5UP_FB ( Np, Vc, VB) := VB + Vc⋅ nF( Np) Nsel = 7 500 V M5Down ( Np , Vc max ) ( ) V M5UP_FB Np , Vc max , VB max 400 300 200 Nsel 100 0 0 1.43 2.86 4.29 5.71 7.14 8.57 10 Np Máxima tensión de bloqueo MOS ( ) 68V V M5UP_FB Nsel, Vc max , VB max = TENSION EN DIODOS UP FLYBACK UP nF( Np) V DFB ( Np, Vc, VB) := Vc + ⋅VB 1 V DUP ( Np, Vc, VB) := Vc Vc − ⎛ ⎜ − VB⎞ ⎟ nF Np ⎝ Np ⎠ ⋅ ( ) 600 Nsel ( ) V DFB Np , Vc max , VB max ( ) V DUP Np , Vc min , VB max ( ) V DUP Np , Vc max , VB min 400 200 0 0 2 4 6 8 10 Np CUIDADO: Si la tension se hace negativa, significa que conduciría el diodo en modo elevador despues del arranque y en modo reductor, regresando energía a la entrada ( ) 0.667V V DUP 6, Vc max , VB min = 264
Anexo II Observaciones: _ Es conveniente que Np sea de un valor en el que se pueda tener variación de la tensión de salida desde 260V hasta 400V. _ Para MOSFETs de BT, es conveniente que la tensión de bloqueo no pase de 100V para poder seleccionarlos de baja resistencia en conducción (Np>=6 para MOS de 100V) _ Para los Diodos, es conveniente no pasar de Np=7 para que se puedan utilizar de 600V TENSION EN DIODOS UP FLYBACK Down V DFB ( Np, Vc, VB) := Vc + V DDown ( Np, Vc, VB) := Vc − ( Np) ⋅VB 1 ⎛ ⎜ ⎝ ⎞ ⎟⎠ Np Vc − VB ⋅( ) Np 600 Nsel ( ) V DFB Np , Vc tip , VB tip ( ) V DDown Np , Vc tip , VB tip 400 200 0 0 2 4 6 8 10 Np 265
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UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE MADRID
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Tribunal Tribunal nombrado por el M
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Agradecimientos Quiero agradecer a
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