estudio y análisis de soluciones topológicas de convertidores cc - cc ...

Anexo II
PÉRDIDAS EN SEMICONDUCTORES MODO REDUCTOR
IRFIB7N50A C oos := 97pF
t r := 35⋅
10 − 9 s
:= Q gs := 32⋅
10 − 9 C
t f := 28⋅
10 − 9 s
R on 1.8⋅( 0.52Ω )
SPA11N60C3 C oos := 40pF
t r := 5⋅10 − 9 s
:= Q gs := 45⋅
10 − 9 C
t f := 5⋅10 − 9 s
R on 1.8⋅( 0.34Ω )
Puente M1 - M4
MOS paralelo mos := 1 V gs := 15V V DS := Vc fs = 1 × 10 5 Hz
Datos del MOSFET
STP20NM60 C oos := 50pF
t r := 20⋅
10 − 9 s
:= Q gs := 39⋅
10 − 9 C
R on 1.8⋅( 0.25Ω )
t f := 11⋅
10 − 9 s
Conducción
R on
Pon M
mos I 2
:= ⋅ M1ef Pon M = 0.688W Pon M ⋅4
= 2.754W
mos
Capacidad Parásita
2
P Coos := ⋅C 2 oos ⋅V DS ⋅fs
P Coos = 0.4W P Coos ⋅4
= 1.6W
Carga de Puerta Pgs := mos⋅Q gs ⋅V gs ⋅fs
Pgs = 0.059W Pgs⋅4
= 0.234W
Conmutación
NOTA: 2 ON con I Mín y 2 off con I Máx en puente
1
Psw on := 2 2 ⋅ V DS⋅( I 1 ( 0s ) ⋅ n ) ⋅t r ⋅fs
⎡⎣
⎤⎦
Psw 1
off := ⎡
2 2 ⋅ V DS⋅⎛
I ⎛ 1 ⎜ d⋅
T ⎞
⎜ ⎟
⎝ ⎝ 2 ⎠ ⋅n
⎞
⎢
⎟⎠ ⋅t f ⋅fs⎤ ⎥⎦
⎣
Psw on = 1.02W
Psw off = 1.684W
Psw := Psw on + Psw off
Psw = 2.704W
P TM14 := Pon M ⋅4
+ Pgs⋅4
+ P Coos ⋅4
+ Psw
TOTALES M1-M4
P TM14 = 7.292W
Nota: las pérdidas por convivencia corriente tensión no se ven afectadas al colocar MOSFETs
en paralelo, ya que si la corriente disminuye para cada dispositivo, la suma de ellas da como
resultado como si ubiese sido solo un dispositivo
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