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estudio y análisis de soluciones topológicas de convertidores cc - cc ...

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Estudio y análisis <strong>de</strong> <strong>soluciones</strong> topológicas <strong>de</strong> <strong>convertidores</strong> CC-CC bidire<strong>cc</strong>ionales para su<br />

aplicación en vehículos híbridos<br />

¿Uso <strong>de</strong> la rectificación Síncrona en modo elevador<br />

En este apartado se valora cuantitativamente el uso o no <strong>de</strong> la rectificación síncrona en<br />

los interruptores <strong>de</strong>l puente completo (M1-M4) en modo elevador. Para hacer esta valoración,<br />

es necesario conocer las características <strong>de</strong>l diodo parásito que se encuentra en estos<br />

MOSFETs. El cálculo <strong>de</strong> estas perdidas se hace con la tensión <strong>de</strong> caida en condu<strong>cc</strong>ion<br />

directa <strong>de</strong>l diodo multiplicada por la corriente promedio que circula a traves <strong>de</strong> él. Para<br />

justificar el uso <strong>de</strong> la rectificacion síncrona en modo elevador, las pérdidas resultantes en<br />

este modo al hacer conmutar los interruptores <strong>de</strong>ben ser inferiores a las que se producen al<br />

<strong>de</strong>jar conducir libremente a los diodos parásitos <strong>de</strong> los mismos.<br />

Caida Forward en<br />

diodo <strong>de</strong> M1-M4<br />

V Fw := 1.5V<br />

Corriente promedio<br />

en Diodo parásito<br />

I Cc1prom = 0.577A<br />

Pérdidas por diodo<br />

P didUP := V Fw ⋅I Cc1prom P didUP = 0.865W<br />

Pérdidas Totales<br />

por diodos<br />

P didUP ⋅4<br />

= 3.46W<br />

Conclusión: obtenidos los resultados <strong>de</strong> las pérdidas que se producen al hacer conmutar los<br />

MOFETs M1 a M4 (7.27W), y las pérdidas que se producen al <strong>de</strong>jar conducir el diodo<br />

parásito (3.46W), se concluye que no es viable utilizar la Rectificación Síncrona. Lo que se<br />

<strong>de</strong>be hacer, es <strong>de</strong>jar conducir libremente al diodo parásito <strong>de</strong>l MOSFET, ó en su <strong>de</strong>fecto<br />

poner en paralelo un diodo <strong>de</strong> mejores prestaciones, es <strong>de</strong>cir, <strong>de</strong> menor caida forward.<br />

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