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commande optimale de l'alterno- demarreur avec prise en ... - UTC

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<strong>comman<strong>de</strong></strong>, et déterminer la t<strong>en</strong>sion <strong>de</strong> <strong>comman<strong>de</strong></strong> <strong>de</strong> l’onduleur à partir <strong>de</strong>s t<strong>en</strong>sions <strong>de</strong><br />

phases.<br />

Pour imposer la t<strong>en</strong>sion phase Us au <strong>de</strong>là <strong>de</strong> Ubat/2, nous <strong>de</strong>vons augm<strong>en</strong>ter l’amplitu<strong>de</strong> <strong>de</strong> la<br />

t<strong>en</strong>sion <strong>de</strong> consigne. Pour un rapport V*/Ubat=1.75, les t<strong>en</strong>sions V*, VaM et Us sont<br />

représ<strong>en</strong>tées figures 2.10.a et 2.10.b.<br />

Fig. 2.10.a T<strong>en</strong>sions <strong>en</strong> sortie d’un bras <strong>de</strong> pont<br />

d’onduleur VaM et la t<strong>en</strong>sion <strong>de</strong> consigne V*<br />

52<br />

Fig. 2.10.b T<strong>en</strong>sions aux bornes d’une phase<br />

La consigne V* appliquée <strong>en</strong> <strong>en</strong>trée <strong>de</strong> l’onduleur ne peut être effectivem<strong>en</strong>t fournie par ce<br />

<strong>de</strong>rnier, tant que sa valeur crête n’excè<strong>de</strong> pas la t<strong>en</strong>sion d’alim<strong>en</strong>tation <strong>de</strong> l’onduleur Ubat. Au<br />

<strong>de</strong>là, le phénomène d’écrêtage se produit, qui <strong>en</strong>g<strong>en</strong>dre une non-linéarité <strong>en</strong>tre la t<strong>en</strong>sion <strong>de</strong><br />

<strong>comman<strong>de</strong></strong> V* et l’amplitu<strong>de</strong> <strong>de</strong>s t<strong>en</strong>sions <strong>en</strong> sortie <strong>de</strong> l’onduleur appliquées aux bornes <strong>de</strong> la<br />

machine.<br />

2.5.2.1 Décomposition <strong>en</strong> série <strong>de</strong> Fourier d’une sinusoï<strong>de</strong> écrêtée<br />

Pour une t<strong>en</strong>sion <strong>de</strong> <strong>comman<strong>de</strong></strong><br />

KM est appelé le taux <strong>de</strong> surmodulation<br />

Ubat Ubat<br />

V * ( t)<br />

K M sin( s.<br />

t)<br />

+<br />

2<br />

2<br />

= ω (2.61)<br />

Pour KM>1, la t<strong>en</strong>sion VaM (filtrée) est écrêtée à un niveau V*=Ubat, lorsque ω s. t = α tel que<br />

1<br />

sin( α ) = (Fig. 2.11). On peut remarquer que plus la valeur <strong>de</strong> KM augm<strong>en</strong>te, plus l’écrêtage<br />

K<br />

M<br />

<strong>de</strong> la t<strong>en</strong>sion VaM(t) t<strong>en</strong>d à se produire pour <strong>de</strong> très petites valeurs <strong>de</strong> α . Dans ce cas

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