Numerische Berechnung der elektronischen ... - SAM - ETH Zürich
Numerische Berechnung der elektronischen ... - SAM - ETH Zürich
Numerische Berechnung der elektronischen ... - SAM - ETH Zürich
Erfolgreiche ePaper selbst erstellen
Machen Sie aus Ihren PDF Publikationen ein blätterbares Flipbook mit unserer einzigartigen Google optimierten e-Paper Software.
Kapitel 7<br />
Optoelektronik<br />
7.1 Die optische Verstärkung<br />
Die Verstärkung <strong>der</strong> Photonen <strong>der</strong> Mode k ist gegeben durch das Produkt von<br />
Verstärkungskoeffizient g(¯hω) und Aufenthaltswahrscheinlichkeit <strong>der</strong> Photonen |Ψ k | 2<br />
nach Gleichung (1.18). Der Verstärkungskoeffizient ist das Verhältnis <strong>der</strong> Anzahl <strong>der</strong><br />
pro Volumen und Zeit erzeugten Photonen und <strong>der</strong> Anzahl <strong>der</strong> pro Volumen und<br />
Zeit eingestrahlten Photonen. g(¯hω) wird auch als lokale Verstärkung bezeichnet.<br />
Die Rekombination eines Leitungsbandelektrons <strong>der</strong> Energie E C und eines Valenzbandloches<br />
<strong>der</strong> Energie E V ist proportional dem Produkt <strong>der</strong> Aufenthaltswahrscheinlichkeiten<br />
des besetzten Leitungsbandzustandes und des unbesetzten Valenzbandzustandes<br />
f C (E C )·(1−f V (E V )). Die Absorption eines Photons und Anregung<br />
eines Elektrons von E V nach E C ist proportional dem Produkt <strong>der</strong> Aufenthaltswahrscheinlichkeiten<br />
für den unbesetzten Leitungsbandzustand und den besetzten<br />
Valenzbandzustand (1 − f C (E C )) · f V (E V ). Somit ist die Verstärkung als Differenz<br />
von Rekombination und Absorption proportional zu<br />
f C (E C ) · (1 − f V (E V )) − (1 − f C (E C )) · f V (E V ) = f C (E C ) − f V (E V ) (7.1)<br />
Mit Verwendung von Fermis Goldener Regel kann die lokale Verstärkung im<br />
Quantengraben durch<br />
g(¯hω) = C 0<br />
∑<br />
i,j<br />
∫<br />
k max 2π<br />
0<br />
∫<br />
0<br />
|M i,j | 2( )<br />
f c (E i ) − f v (E j ) δ(E i − E j − ¯hω) dφ dk ρ (7.2)<br />
beschrieben werden. Man beachte die Abhängigkeit <strong>der</strong> Subbandenergien E i (k ρ , φ))<br />
und E j (k ρ , φ)) von Betrag und Winkel des Wellenvektors ⃗ k innerhalb <strong>der</strong> QW-<br />
Ebene. Die Konstante C 0 ist<br />
C 0 =<br />
π e 2<br />
n r cε 0 m 2 0 ω =<br />
h π e2<br />
2n r cε 0 m 2 ·<br />
0<br />
1<br />
¯hω<br />
(7.3)<br />
mit dem Brechungsindex n r . Dieser ist abhängig von <strong>der</strong> optischen Energie ¯hω (siehe<br />
[101, 102] und Anhang J in [46]), <strong>der</strong> Temperatur und <strong>der</strong> Ladungsträgerdichte.<br />
Tabelle 7.1 gibt für einige III-V-Materialien mittlere Werte an.<br />
|M i,j | 2 ist das quadrierte optische Impulsmatrixelement, das im Quantum-Well<br />
von <strong>der</strong> Polarisation <strong>der</strong> Photonen abhängig ist. Es wird im Abschnitt 7.1.1 beschrieben.<br />
105