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Numerische Berechnung der elektronischen ... - SAM - ETH Zürich

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Kapitel 6<br />

Ergebnisse <strong>der</strong><br />

Bandstrukturberechnungen<br />

6.1 Die Bandstrukturmodelle<br />

An vier Strukturen wurde <strong>der</strong> Einfluß des <strong>Berechnung</strong>smodelles untersucht. Die<br />

QW-Strukturen sind<br />

(A) ein Al 0,2 Ga 0,8 As–GaAs–Quantum-Well mit 68 Å (24 Monolagen),<br />

(B) ein Al 0,2 Ga 0,8 As–GaAs–Quantum-Well mit 113 Å (40 Monolagen),<br />

(C) ein Al 0,2 Ga 0,8 As–In 0,2 Ga 0,8 As–Quantum-Well mit 68 Å (24 Monolagen),<br />

(D) ein Al 0,2 Ga 0,8 As–In 0,2 Ga 0,8 As–Quantum-Well mit 113 Å (40 Monolagen)<br />

Die beiden Materialsysteme (A,B) und (C,D) unterscheiden sich markant. GaAs<br />

und Al 0,2 Ga 0,8 As besitzen ähnliche Bandlücken, Gitterkonstanten (leichte Zugverspannung)<br />

und Luttingerparameter. Dagegen hat In 0,2 Ga 0,8 As eine erheblich kleinere<br />

Bandlücke als Al 0,2 Ga 0,8 As, eine größere Gitterkonstante (starke Zugverspannung)<br />

und höhere Luttingerparameter. Mit den Quantum-Well-Breiten wurde eine<br />

relativ kleine und eine relativ große gewählt.<br />

Im Folgenden werden die Ergebnisse für die Löchersubbän<strong>der</strong> und die Elektronensubbän<strong>der</strong><br />

vorgestellt. Vom weitgehensten Modell wird schrittweise jedes<br />

Modell anhand <strong>der</strong> Subbanddispersionen, <strong>der</strong> Zustandsdichten und <strong>der</strong> Ladungsträgerdichten<br />

mit dem nächst komplexeren verglichen.<br />

Für Valenzbän<strong>der</strong> konnten mit den in <strong>der</strong> Arbeit vorgestellten Lösungsalgorithmen<br />

die Eigenenergien (und Wellenfunktionen) <strong>der</strong> Einbandschrödinger- und <strong>der</strong><br />

Zweibandschrödingergleichung berechnet werden. Zum Vergleich mit dem Modell<br />

mit drei gekoppelten Valenzbän<strong>der</strong>n konnte ein Programm von Dipl.-Ing. Andrei<br />

Herasimovich (BSPA Minsk, Weißrußland) genutzt werden, das die Finiten Differenzen-Methode<br />

anwendet. Zu beachten ist, daß alle Modelle dieselbe Nullpunktsenergie<br />

für die schweren Löcher liefern. Für die leichten Löcher erhalten die Einbandund<br />

die Zweibandschrödingergleichung die gleiche Energie am Γ-Punkt. Die Bän<strong>der</strong><br />

wurden in axialer Approximation berechnet.<br />

Für das Leitungsband wurden das parabolische und das nichtparabolische Modell<br />

miteinan<strong>der</strong> verglichen.<br />

6.1.1 Löcher: Vernachlässigung des SO-Bandes<br />

In den Abbildungen 6.1, 6.4, 6.7 und 6.10 sind für die Materialsysteme (A)-(D) die<br />

Dispersionskurven dargestellt, die mit dem 6×6-Hamiltonian (grüne Kurven), dem<br />

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