Numerische Berechnung der elektronischen ... - SAM - ETH Zürich
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118 KAPITEL 8. VORHERSAGEN VON OPTOELEKTR. EIGENSCHAFTEN<br />
-4<br />
-3<br />
-2<br />
Y<br />
-1<br />
0<br />
1<br />
0 2 4 6 8<br />
X<br />
Abbildung 8.4: Modell <strong>der</strong> simulierten Laserdiode (Längen sind in µm). Dargestellt<br />
ist die Hälfte eines Seitenschnittes. Simuliert wurde auf dem<br />
Gitter, das in <strong>der</strong> aktiven Zone in <strong>der</strong> Mitte sehr dicht ist.<br />
18<br />
20<br />
16<br />
14<br />
15<br />
12<br />
ModeGain0<br />
10<br />
8<br />
ModeGain0<br />
10<br />
6<br />
5<br />
4<br />
2<br />
0<br />
1.3 1.4 1.5<br />
TransitionEnergy<br />
(a)<br />
1.15 1.2 1.25 1.3<br />
TransitionEnergy<br />
(b)<br />
Abbildung 8.5: Die globale, optische Verstärkung eines 85 Å breiten (verspannten)<br />
Al 0,2 Ga 0,8 As-In 0,2 Ga 0,8 As-Quantum-Well-Lasers bei einer<br />
Leistung von 13,5 mW in Abhängigkeit von <strong>der</strong> Übergangsenergie<br />
(in eV). (a) <strong>Berechnung</strong> <strong>der</strong> Subbäner mit 4×4-Hamiltonian, (b)<br />
mit ungekoppelter Bandstrukturberechnung.
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