Numerische Berechnung der elektronischen ... - SAM - ETH Zürich
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30 KAPITEL 3. DIE BANDSTRUKTUR IM HOMOGENEN HALBLEITER<br />
3.4 k·p -Methode<br />
Zur Untersuchung <strong>der</strong> <strong>elektronischen</strong> und opto<strong>elektronischen</strong> Eigenschaften eines<br />
Halbleiters, ist die Kenntnis seiner Bandstruktur nötig. Die untersuchten Ma terialien<br />
GaAs, AlGas und Al x Ga 1−x As kommen in einem Zinkblendegitter vor und<br />
sind direkte Halbleiter (siehe Kapitel 2). D.h. die Extrempunkte <strong>der</strong> Bän<strong>der</strong> liegen<br />
im Brillouinzonenzentrum Γ, also bei k 0 = 0, wie man durch Untersuchung <strong>der</strong> Symmetrieeigenschaften<br />
nachweist. Da dadurch die Elektronen nahe des Minimums des<br />
Leitungsbandes und die Löcher in <strong>der</strong> Nähe des Valenzbandmaximums konzentriert<br />
sind, ist die Kenntnis <strong>der</strong> Bandstruktur in <strong>der</strong> Nähe des Brillouinzonenzentrums<br />
ausreichend.<br />
Im Kristall wird ein Ladungsträger durch eine gitterperiodisch modulierte ebene<br />
Welle repräsentiert, d.h. seine Wellenfunktion läßt sich als Produkt einer gitterperiodischen<br />
Blochfunktion u n ⃗ k<br />
(⃗r) und e i⃗ k·⃗r darstellen :<br />
Ψ n ⃗ k<br />
(⃗r) = e i⃗ k·⃗r u n ⃗ k<br />
(⃗r) (3.22)<br />
Ist u = const, wird Ψ = c · e i⃗k·⃗r und das Elektron verhält sich wie ein freies<br />
Teilchen und wird durch eine ebene Welle repräsentiert.<br />
So ist die Schrödingergleichung<br />
( )<br />
ˆp<br />
2<br />
Ĥ 0 (ˆp)Ψ n ⃗ k<br />
(⃗r) = + V (⃗r) Ψ<br />
2m n ⃗ k<br />
(⃗r) = E n ( ⃗ k)Ψ n ⃗ k<br />
(⃗r) (3.23)<br />
0<br />
Mit ˆp = ¯h i<br />
∇ wird aus (3.23) und (3.22)<br />
e i⃗ k·⃗r<br />
(− ¯h2<br />
)<br />
(− ¯h2 ∇ 2 + V (⃗r) e i⃗k·⃗r u<br />
2m n ⃗ k<br />
(⃗r)<br />
0<br />
)<br />
= E n ( ⃗ k) · e i⃗k·⃗r u n ⃗ k<br />
(⃗r)<br />
u n ⃗ k<br />
(⃗r) = E n ( ⃗ k)e i⃗k·⃗r u n ⃗ k<br />
(⃗r) (3.24)<br />
(∇ 2 + 2i<br />
2m ⃗ k∇ − k 2 ) + V (⃗r)<br />
0<br />
(<br />
)<br />
ˆp 2<br />
+ ¯h⃗ kˆp<br />
+ ¯h2 k 2<br />
+ V (⃗r)<br />
2m 0 m 0 2m 0<br />
u n ⃗ k<br />
(⃗r) = E n ( ⃗ k)u n ⃗ k<br />
(⃗r)<br />
Die k·p -Methode ist eine Variante <strong>der</strong> Störungstheorie, bei <strong>der</strong> die Zustände<br />
bei k > 0 um k 0 entwickelt werden. Dabei werden für kleine k die beiden Terme<br />
Ĥ 1 = ¯h2 k 2<br />
2m 0<br />
,<br />
als Störung von (3.23) bei k 0 = 0 betrachtet. Bei k 0 ist<br />
Ĥ 2 = ¯h⃗ kˆp<br />
m 0<br />
(3.25)<br />
( )<br />
ˆp<br />
2<br />
+ V (⃗r) u<br />
2m n ⃗ k0<br />
(⃗r) = E n ( ⃗ k 0 )u n ⃗ k0<br />
(⃗r) (3.26)<br />
0<br />
Dabei bildet nur Ĥ2 Interbandmatrixelemente wie in (3.5).<br />
Der k·p -Hamiltonian nahe des Zonenzentrums ist somit<br />
Ĥ k· = Ĥ0 + ¯h2 k 2<br />
2m 0<br />
+ ¯h⃗ kˆp<br />
m 0<br />
(3.27)<br />
Die Wellenfunktionen <strong>der</strong> Ladungsträger sind in dem störungstheoretischen Ansatz<br />
eine Linearkombination <strong>der</strong> orthonormierten Blochfunktionen u n (n=1,2,..,N)<br />
(3.3).