Numerische Berechnung der elektronischen ... - SAM - ETH Zürich
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56 KAPITEL 4. DIE BANDSTRUKTUR IN QW-STRUKTUREN<br />
In <strong>der</strong> Nähe von 1 bis 2% <strong>der</strong> Brillouinzonengrenze k max unterscheiden sich die<br />
Energien in < 10 >- und < 11 >-Richtung nicht wesentlich (siehe Abbildung 4.7).<br />
0<br />
mit AA<br />
ohne AA<br />
−0.01<br />
−0.02<br />
E in eV<br />
−0.03<br />
−0.04<br />
−0.05<br />
−0.06<br />
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04 0.045 0.05<br />
k ρ<br />
in k max<br />
Abbildung 4.7: Die oberen beiden Valenzbän<strong>der</strong> <strong>der</strong> Subbandstruktur eines<br />
Al 0,3 Ga 0,7 As-GaAs-Quantum-Wells <strong>der</strong> Dicke 10nm in die beiden<br />
Richtungen < 10 > und < 11 > (durchgezogene Linie) und<br />
mit axialer Approximation (gestrichelte Linie).<br />
4.5 6-Band-Hamiltonian<br />
Der 6-Band-Hamiltonian für biaxiale Verspannung durch Gitteranpassung und uniaxiale<br />
Verspannung in z-Richtung ist in (4.36) angegeben. Durch eine Transformation<br />
in ein neues Basissystem kann er in eine nahezu blockdiagonale Form [70] und<br />
durch eine an<strong>der</strong>e Transformation in eine blockdiagonale Form gebracht werden<br />
[77].<br />
⎡ ⎤<br />
H U 0<br />
H 6×6 = − ⎢ ⎥<br />
⎣ ⎦ (4.52)<br />
0 H L<br />
⎡<br />
√ √<br />
P + Q + ζ ˜R<br />
2|R| + i 2<br />
2<br />
⎢ |S|<br />
⎤<br />
√<br />
H U = ⎣ ˜R ∗<br />
√<br />
P − Q − ζ 2(Q + ζ) + i 6<br />
√ 2 |S|<br />
√<br />
2|R| − i<br />
2<br />
2 |S| √ √<br />
2(Q + ζ) − i<br />
6<br />
2<br />
⎡<br />
√ |S| P + ∆ √<br />
P + ∆ 2(Q + ζ) + i 6<br />
2<br />
⎢<br />
|S| √ √<br />
2|R| + i<br />
2<br />
2 |S|<br />
⎤<br />
√ √<br />
H L = ⎣ 2(Q + ζ) − i 6<br />
2 |S| P − Q − ζ ˜R<br />
√ √<br />
2|R| − i<br />
2<br />
2 |S| ˜R∗ P + Q + ζ<br />
⎥<br />
⎦ + δE hy<br />
⎥<br />
⎦ + δE hy<br />
Die 3×3-Hamiltonian H U und H L wirken auf die Wellenfunktionen von HH, LH<br />
und SO bzw. SO, LH und HH in dieser Reihenfolge.