Numerische Berechnung der elektronischen ... - SAM - ETH Zürich

6.1. DIE BANDSTRUKTURMODELLE 85
4.5
5 x 1021
Ungekoppelt
4x4−Hamiltonian ohne SO−Band
6x6−Hamiltonian mit SO−Band
Zustandsdichte D in eV −1 cm −3
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0.12 0.14 0.16 0.18 0.2
E in eV
Abbildung 6.11: Löcherzustandsdichte eines Al 0,2 Ga 0,8 As–GaAs–Quantum-
Wells der Breite 113 Å.
Ungekoppelt
4x4−Hamiltonian ohne SO−Band
6x6−Hamiltonian mit SO−Band
Löcherladungsdichte p in cm −3
10 21
10 20
10 19
10 18
10 17
E Fv
in eV
10 16
−0.2 −0.1 0 0.1
Abbildung 6.12: Löcherdichten eines Al 0,2 Ga 0,8 As–GaAs–Quantum-Wells der
Breite 113 Åbei 300 K.
mit einem Loch erzeugten Photons. Der Unterschied von weniger als 1 meV bei (A)
und (B) bewirkt einen Fehler in der Wellenlänge, der kleiner als 0,4 nm ist. Die
Wellenlängen der in der Rekombination mit CB1 der unverspannten Al 0,2 Ga 0,8 As-
In 0,2 Ga0, 8As-Quantum-Wells erhaltenen Photonen werden bis zu 1,2 nm zu hoch
berechnet. Berücksichtigt man die Verspannung, beträgt der Unterschied 17 bis 22
nm.
6.1.5 Elektronen: Verwendung effektiver Bulkmassen
Im Gegensatz zu den Löchern unterscheiden sich die effektiven Massen der Elektronen
im Quantum-Well bei ungekoppelter Berechnung von den effektiven Massen des
homogenen QW-Materials um mehr als 1 % (siehe Tabelle 6.1). Bei parabolischer