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Numerische Berechnung der elektronischen ... - SAM - ETH Zürich

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Inhaltsverzeichnis<br />

Einleitung 5<br />

1 Der Halbleiterlaser 7<br />

1.1 Eigenschaften <strong>der</strong> Laserstrahlung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7<br />

1.2 Anwendungen von Halbleiterlasern . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7<br />

1.3 Funktionsprinzip . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8<br />

1.4 Laserstrukturen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12<br />

1.4.1 Halbleitermaterialien . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12<br />

1.4.2 p-n-Laserdiode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12<br />

1.4.3 Doppel-Heterostruktur-Laser . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13<br />

1.4.4 Quantum-Well-Laser . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13<br />

1.5 Simulationswerkzeug LASER-DESSIS . . . . . . . . . . . . . . . . . 15<br />

2 Der Festkörper 19<br />

2.1 Ladungsträger im Festkörper . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22<br />

2.1.1 Ladungsdichten im homogenen Halbleiter . . . . . . . . . . . 22<br />

2.1.2 Ladungsdichten im Quantengraben . . . . . . . . . . . . . . . 24<br />

3 Die Bandstruktur im homogenen Halbleiter 27<br />

3.1 Störungstheoretischer Ansatz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27<br />

3.2 Matrixformulierung <strong>der</strong> Schrödingergleichung . . . . . . . . . . . . . 27<br />

3.3 LÖWDIN’s Methode <strong>der</strong> Störungstheorie . . . . . . . . . . . . . . . 28<br />

3.4 k·p -Methode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30<br />

3.5 k·p -Hamiltonian mit Spin-Bahn-Wechselwirkung . . . . . . . . . . . 31<br />

3.6 Das Kane’sche Modell . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32<br />

3.7 Das Luttinger-Kohn-Modell . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33<br />

3.8 Materialparameter für die k·p -Methode . . . . . . . . . . . . . . . . 36<br />

4 Die Bandstruktur in QW-Strukturen 43<br />

4.1 Envelopenfunktionsformalismus (EFA) . . . . . . . . . . . . . . . . . 43<br />

4.1.1 Die Idee des Envelopenfunktionsformalismus . . . . . . . . . 44<br />

4.1.2 Grenzbedingungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45<br />

4.2 Behandlung von äußeren elektrischen Potentialen . . . . . . . . . . . 46<br />

4.3 Pikus-Bir-Hamiltonian mit Verspannung . . . . . . . . . . . . . . . . 46<br />

4.4 4-Band-Hamiltonian ohne SO-Band . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52<br />

4.4.1 Blockdiagonalform . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53<br />

4.4.2 Axiale Approximation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54<br />

4.5 6-Band-Hamiltonian . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56<br />

4.6 Das Leitungsband . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57<br />

4.7 Simple Valenzbandmodelle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58<br />

4.8 Lösungsmethoden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58<br />

4.9 Anwendungsbereich des EFA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59<br />

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