Numerische Berechnung der elektronischen ... - SAM - ETH Zürich

6.2. DIE VERSPANNUNG 87
1.7
1.65
E in eV
1.6
1.55
1.5
1.45
(a)
Nichtparabolisch
Parabolisch
1.4
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
k ρ
in Einheiten von k max
1.7
1.65
E in eV
1.6
1.55
1.5
1.45
(b)
Nichtparabolisch
Parabolisch
1.4
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
k ρ
in Einheiten von k max
Abbildung 6.14: Energiedispersion eines Al 0,2 Ga 0,8 As–In 0,2 Ga 0,8 As–Quantum-
Well. (a) 68 Å Breite ohne Verspannung, (b) 68 Å Breite mit
Verspannung.
bei den schweren Löchern kleiner als 1 meV, bei den leichten Löchern kleiner als
2 meV (siehe Abbildung 6.16) und bei den Elektronen kleiner als 5 meV (siehe
Abbildung 6.17). Damit sind die Unterschiede nicht so klein, daßsie vernachlässigt
werden können.
In den Abbildung 6.18, 6.19, 6.20 und 6.21 sind die Zustandsdichten und Ladungsträgerdichten
bei Raumtemperatur dargestellt.
Für Al x Ga 1−x As-In x Ga 1−x As-Quantum-Wells sind die Änderungen von einigen
10 meV für die Löcher und die Elektronen durch die stark unterschiedlichen Gitterkonstanten
erheblich grösser.
In den Abbildung 6.18, 6.19, 6.20 und 6.21 ist der Einflu¨ss der Verspannung
auf die Zustandsdichten und Ladungsträgerdichten der Al x Ga 1−x As-In x Ga 1−x As-
Quantum-Wells bei Raumtemperatur dargestellt.