Numerische Berechnung der elektronischen ... - SAM - ETH Zürich
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4.9. ANWENDUNGSBEREICH DES EFA 59<br />
Chuang [72] entwickelte ein ähnliches, analytisches Verfahren, jedoch mit signifikanten<br />
Vereinfachungen. Er ermittelte die Bulkeigenenergien und -wellenfunktionen<br />
gleich mit dem blockdiagonalisierten Hamiltonian. Als Eigenfunktionen wählte er<br />
ebenso eine Linearkombination aus den hin- und rücklaufenden Bulkwellenfunktionen,<br />
jedoch nur aus den zwei desselben 2×2-Blockes. Dadurch blieben 8 freie<br />
Parameter. Chuang betrachtete die sich aus den Grenzbedingungen ergebenden<br />
Verbreitungs- o<strong>der</strong> Übertragungsmatrizen (propagation, transition o<strong>der</strong> transfer matrizes)<br />
an einem Übergang und dem durch <strong>der</strong>en Multiplikation resultierende Gesamtübertragungsmatrix.<br />
Diese sind 4×4-Matrizen. Die Eigenenergien ergeben sich<br />
aus <strong>der</strong> Nullstelle einer 2×2-Determinante. Dieses analytische Verfahren ist bei<br />
gleicher Wahl <strong>der</strong> Ansatzfunktionen äquivalent zu <strong>der</strong> Transfer-Matrix-Methode<br />
[86, 76, 87, 88, 89, 90, 91, 59, 92].<br />
Die Finite Differenzen-Methode (FDM) [93, 94, 77, 78, 26] unterteilt den Quantengraben<br />
und einen Bereich in <strong>der</strong> Barriere in äquidistante Stücke mit N Stützstellen.<br />
In diesen werden aus allen Differenzialquotienten in Ĥ die Differenzenquotienten<br />
ermittelt. Es entsteht eine N × N- Matrix, <strong>der</strong>en Eigenwerte zu bestimmen<br />
sind. Da abrupte Übergänge, wie die Bandkantendiskontinuität in QW-Strukturen,<br />
in <strong>der</strong> FDM durch steile Schrägen approximiert werden, wird eine Vielzahl von<br />
Stützpunkten benötigt, und die FDM-Matrizen werden sehr groß. Vorteil <strong>der</strong> FDM<br />
ist ihre leichte Anwendung für schiefe Potentiale, z.B. durch ein elektrostatisches<br />
Potential o<strong>der</strong> Störstellen.<br />
Die Finite Elemente-Methode (FEM) kann beides, die Envelopenfunktionen an<br />
abrupten Übergängen exakt“ zur Stetigkeit bringen und beliebige Potentiale berechnen.<br />
Zudem müssen die Stützpunkte nicht äquidistant sein. Anstatt <strong>der</strong> tatsäch-<br />
”<br />
lichen Ableitung benutzt sie sogenannte schwache Ableitungen und kommt mit wesentlich<br />
weniger Stützpunkten als die Finite Differenzen-Methode aus [38].<br />
Weitere angewendete Verfahren sind<br />
• die Variationsmethode [75, 95, 96, 97], bei <strong>der</strong> die Subbandenergie in einem<br />
Ansatz von Wellenfunktionen minimiert wird,<br />
• das Schießverfahren [97] und<br />
• die Quadraturmethode (Integration im Impulsraum) [98].<br />
In dieser Arbeit wird die Methode von Chuang benutzt. Sie wird im nächsten<br />
Kapitel für den Flachbandfall näher vorgestellt.<br />
Anzumerken ist, daß diese Methode wie die FDM und die FEM beliebige Potentiale<br />
durch eine Diskretisierung behandeln kann. An den Stützstellen werden<br />
synchron zu den Materialgrenzen die Übertragungsmatrizen aufgestellt und zur Gesamtübertragungsmatrix<br />
multipliziert.<br />
4.9 Anwendungsbereich des Envelopenfunktionsformalismus<br />
Für Doppelheterostrukturen mit einer Breite wesentlich größer als 20 nm gilt die Annahme<br />
des Envelopenfunktionsformalismus, daß die Ladungsträger nur eine Energiedispersion<br />
innerhalb <strong>der</strong> Ebene parallel zur Aufwachsrichtung haben, nicht mehr.<br />
Die Quanteneffekte treten nicht mehr auf und man kann die Bandstrukturalgorithmen<br />
für homogenes Material, wie die Pseudopotential- o<strong>der</strong> die k·p -Methode<br />
anwenden. Es gibt einen Übergangsbereich zwischen dem Modell des homogenen<br />
Halbleiters und dem EFA.<br />
Verkleinert man die Breite des Quantum-Wells auf weniger als ca. 8 nm, verringert<br />
sich die Genauigkeit <strong>der</strong> durch den EFA berechneten die Quanteneffekte.