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Numerische Berechnung der elektronischen ... - SAM - ETH Zürich

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4.9. ANWENDUNGSBEREICH DES EFA 59<br />

Chuang [72] entwickelte ein ähnliches, analytisches Verfahren, jedoch mit signifikanten<br />

Vereinfachungen. Er ermittelte die Bulkeigenenergien und -wellenfunktionen<br />

gleich mit dem blockdiagonalisierten Hamiltonian. Als Eigenfunktionen wählte er<br />

ebenso eine Linearkombination aus den hin- und rücklaufenden Bulkwellenfunktionen,<br />

jedoch nur aus den zwei desselben 2×2-Blockes. Dadurch blieben 8 freie<br />

Parameter. Chuang betrachtete die sich aus den Grenzbedingungen ergebenden<br />

Verbreitungs- o<strong>der</strong> Übertragungsmatrizen (propagation, transition o<strong>der</strong> transfer matrizes)<br />

an einem Übergang und dem durch <strong>der</strong>en Multiplikation resultierende Gesamtübertragungsmatrix.<br />

Diese sind 4×4-Matrizen. Die Eigenenergien ergeben sich<br />

aus <strong>der</strong> Nullstelle einer 2×2-Determinante. Dieses analytische Verfahren ist bei<br />

gleicher Wahl <strong>der</strong> Ansatzfunktionen äquivalent zu <strong>der</strong> Transfer-Matrix-Methode<br />

[86, 76, 87, 88, 89, 90, 91, 59, 92].<br />

Die Finite Differenzen-Methode (FDM) [93, 94, 77, 78, 26] unterteilt den Quantengraben<br />

und einen Bereich in <strong>der</strong> Barriere in äquidistante Stücke mit N Stützstellen.<br />

In diesen werden aus allen Differenzialquotienten in Ĥ die Differenzenquotienten<br />

ermittelt. Es entsteht eine N × N- Matrix, <strong>der</strong>en Eigenwerte zu bestimmen<br />

sind. Da abrupte Übergänge, wie die Bandkantendiskontinuität in QW-Strukturen,<br />

in <strong>der</strong> FDM durch steile Schrägen approximiert werden, wird eine Vielzahl von<br />

Stützpunkten benötigt, und die FDM-Matrizen werden sehr groß. Vorteil <strong>der</strong> FDM<br />

ist ihre leichte Anwendung für schiefe Potentiale, z.B. durch ein elektrostatisches<br />

Potential o<strong>der</strong> Störstellen.<br />

Die Finite Elemente-Methode (FEM) kann beides, die Envelopenfunktionen an<br />

abrupten Übergängen exakt“ zur Stetigkeit bringen und beliebige Potentiale berechnen.<br />

Zudem müssen die Stützpunkte nicht äquidistant sein. Anstatt <strong>der</strong> tatsäch-<br />

”<br />

lichen Ableitung benutzt sie sogenannte schwache Ableitungen und kommt mit wesentlich<br />

weniger Stützpunkten als die Finite Differenzen-Methode aus [38].<br />

Weitere angewendete Verfahren sind<br />

• die Variationsmethode [75, 95, 96, 97], bei <strong>der</strong> die Subbandenergie in einem<br />

Ansatz von Wellenfunktionen minimiert wird,<br />

• das Schießverfahren [97] und<br />

• die Quadraturmethode (Integration im Impulsraum) [98].<br />

In dieser Arbeit wird die Methode von Chuang benutzt. Sie wird im nächsten<br />

Kapitel für den Flachbandfall näher vorgestellt.<br />

Anzumerken ist, daß diese Methode wie die FDM und die FEM beliebige Potentiale<br />

durch eine Diskretisierung behandeln kann. An den Stützstellen werden<br />

synchron zu den Materialgrenzen die Übertragungsmatrizen aufgestellt und zur Gesamtübertragungsmatrix<br />

multipliziert.<br />

4.9 Anwendungsbereich des Envelopenfunktionsformalismus<br />

Für Doppelheterostrukturen mit einer Breite wesentlich größer als 20 nm gilt die Annahme<br />

des Envelopenfunktionsformalismus, daß die Ladungsträger nur eine Energiedispersion<br />

innerhalb <strong>der</strong> Ebene parallel zur Aufwachsrichtung haben, nicht mehr.<br />

Die Quanteneffekte treten nicht mehr auf und man kann die Bandstrukturalgorithmen<br />

für homogenes Material, wie die Pseudopotential- o<strong>der</strong> die k·p -Methode<br />

anwenden. Es gibt einen Übergangsbereich zwischen dem Modell des homogenen<br />

Halbleiters und dem EFA.<br />

Verkleinert man die Breite des Quantum-Wells auf weniger als ca. 8 nm, verringert<br />

sich die Genauigkeit <strong>der</strong> durch den EFA berechneten die Quanteneffekte.

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