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Numerische Berechnung der elektronischen ... - SAM - ETH Zürich

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90 KAPITEL 6. ERGEBNISSE DER BANDSTRUKTURBERECHNUNGEN<br />

0.1<br />

0.09<br />

mit Verspannung<br />

ohne Verspannung<br />

0.08<br />

0.07<br />

E in eV<br />

0.06<br />

0.05<br />

0.04<br />

0.03<br />

0.02<br />

0.01<br />

(a)<br />

0<br />

0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0.12<br />

k ρ<br />

in Einheiten von k max<br />

mit Verspannung<br />

ohne Verspannung<br />

0.1<br />

0.08<br />

E in eV<br />

0.06<br />

0.04<br />

0.02<br />

(b)<br />

0<br />

0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0.12<br />

k ρ<br />

in Einheiten von k max<br />

Abbildung 6.16: Än<strong>der</strong>ung <strong>der</strong> Energiedispersionen <strong>der</strong> Löchersubbän<strong>der</strong> durch<br />

Verspannung (a) eines 68 Å-breiten und (b) eines 113 Å-breiten<br />

Al 0,2 Ga 0,8 As–GaAs–Quantum-Well.<br />

1. Löchersubband wird mit den neuen Parametern um 86 meV größer berechnet.<br />

Dieses Ergebnis bestätigt die Ansicht von Vurgaftman et al [44], daß bei InGaAs<br />

weitere Untersuchungen <strong>der</strong> Parameter nötig sind.

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