Numerische Berechnung der elektronischen ... - SAM - ETH Zürich
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90 KAPITEL 6. ERGEBNISSE DER BANDSTRUKTURBERECHNUNGEN<br />
0.1<br />
0.09<br />
mit Verspannung<br />
ohne Verspannung<br />
0.08<br />
0.07<br />
E in eV<br />
0.06<br />
0.05<br />
0.04<br />
0.03<br />
0.02<br />
0.01<br />
(a)<br />
0<br />
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0.12<br />
k ρ<br />
in Einheiten von k max<br />
mit Verspannung<br />
ohne Verspannung<br />
0.1<br />
0.08<br />
E in eV<br />
0.06<br />
0.04<br />
0.02<br />
(b)<br />
0<br />
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0.12<br />
k ρ<br />
in Einheiten von k max<br />
Abbildung 6.16: Än<strong>der</strong>ung <strong>der</strong> Energiedispersionen <strong>der</strong> Löchersubbän<strong>der</strong> durch<br />
Verspannung (a) eines 68 Å-breiten und (b) eines 113 Å-breiten<br />
Al 0,2 Ga 0,8 As–GaAs–Quantum-Well.<br />
1. Löchersubband wird mit den neuen Parametern um 86 meV größer berechnet.<br />
Dieses Ergebnis bestätigt die Ansicht von Vurgaftman et al [44], daß bei InGaAs<br />
weitere Untersuchungen <strong>der</strong> Parameter nötig sind.
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