Numerische Berechnung der elektronischen ... - SAM - ETH ZÃ¼rich

Weitere Magazine

Empfehlungen

Info

128 LITERATURVERZEICHNIS [47] D. M. Wood and A. Zunger, Successes and failures of the k·p method: A direct assessment for GaAs/AlAs quantum structures, Physical Review B 53 (1996), 7949–7963. [48] S. Adachi, GaAs, AlAs, and Al x Ga 1−x As: Material parameter for use in research and device applications, Journal of Applied Physics 58 (1985), R1– R28. [49] (M. Levinshtein, S. Rumyantsev, and M. Shur, eds.), Ternary and Quaternary III-IV-Compounds, Vol. 2 of Handbook series on semiconductor parameters, World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd., Singapore, 1999. [50] N. P. Belov, V. T. Prokopenko, and A. D. Yas’kov, Parameters of the k·p method calculated for semiconductors by nonlocal empirical pseudopotential method, Sov. Phys. Semicond. 23 (1989), 1296–1297. [51] D. F. Nelson, R. C. Miller, C. W. Tu, and S. K. Sputz, Exciton binding energies from an envelope-function analysis of data on narrow quantum wells of integral monolayer widths in Al 0.4 Ga 0.6 As/GaAs, Physical Review B 36 (1987), 8063–8070. [52] G.Bastard, Superlattice band structure in the envelope-function approximation, Physical Review B 24 (1981), 5693–5697. [53] G. Bastard, Theoretical investigations of superlattice band structure in the envelope-function approximation, Physical Review B 25 (1982), 7584–7597. [54] S. R. White and L. J. Sham, Electronic properties of flat-band semiconductor heterostructures, Physical Review Letters 47 (1981), 879–882. [55] Áèð Ã.Ë. è Ïèêóñ Ã.Å. (G. L. Bir and G. E. Pikus), Òåîðèÿ äåôîðìàöèîííîãî ïîòåíöèàëà äëÿ ïîëóïðîâîäíèêîâ ñî ñëîæíîé çîííîé ñòðóêòóðîé (theory of deformation potential for semiconductors with compounds structures), Ôèçèêà Òâåðäîãî Òåëà (Soviet Solid State Physics) 11 (1960), 22872300. [56] G. Bastard, Wave mechanics applied to semiconductor heterostructures, Halsted Press, Les Ulis, 1988. [57] D. J. BenDaniel and C. B. Duke, Space-charge eects on electron tunneling, Physical Review 152 (1966), 683692. [58] M. F. H. Schuurmans and G. W. 't Hooft, Simple calculations of connement states in a quantum well, Physical Review B 31 (1985), 80418048. [59] B. Chen, M. Lazzouni, and L. R. Ram-Mohan, Diagonal representation for the transfer-matrix method for obtaining electronic energy levels in layered semiconductor heterostructures, Physical Review B 45 (1992), 12041212. [60] M. Altarelli, Electronic structure and semiconductor-semimetal transition in InAs-GaSb superlattices, Physical Review B 28 (1983), 842845. [61] M. G. Burt, An exact formulation of the envelope function method for the determination of electronic states in semiconductor microstructures, Semiconductor Science and Technology 2 (1987), 460462. [62] M. G. Burt, An exact formulation of the envelope function method for the determination of electronic states in semiconductor microstructures, Semiconductor Science and Technology 3 (1988), 739753.
LITERATURVERZEICHNIS 129 [63] , The justication for applying the eective-mass approximation to microstructures, Journal of Physics 4 (1992), 66516690. [64] E. Yablonovitch and E. O. Kane, Reduction of lasing treshold current density by lowing of valence band eective mass, Journal of Lightwave Technology 4 (1986), 504506. [65] , Erratum, Journal of Lightwave Technology 4 (1986), 961. [66] A. R. Adams, Band-structure engineering for low-threshold high-eciency semiconductor lasers, Electronic Letters 22 (1986), 249250. [67] E. Yablonovitch and E. Kane, Band structure engineering of semiconductor lasers for optical communications, Journal of Lightwave Technology 6 (1988), 12921299. [68] G. L. Bir and G. E. Pikus, Fiz. Tverd. Tela (Leningrad) 1 (1959), 154. [69] Áèð Ã.Ë. è Ïèêóñ Ã.Å. (G. L. Bir and G. E. Pikus), Âëèÿíèå äåôîðìàöèè íà ýíåðãåòè÷åñêèé ñïåêòð äûðîê â ãåðìàíèè è êðåìíèè (eects of deformation on the hole energy spectrum of germanium and silicontheory of deformation potential for semiconductors with compounds structures), Ôèçèêà Òâåðäîãî Òåëà (Soviet Solid State Physics) 1 (1959), 16421658. [70] C. Y. Chao and S. L. Chuang, Spin-orbit-coupling eects on the valence-band structure of strained semiconductor quantum wells, Physical Review B 46 (1992), 41104122. [71] Yu. A. Burenkov, Yu. M. Burdukov, S. Yu. Davidov, and S. P. Nikanorov, Soviet Phys. Solid State 15 (1973), 11751177. [72] S. L. Chuang, Ecient band-structure calculations of strained quantum wells, Physical Review B 43 (1991), 96499661. [73] B. Olejnikova, Strain dependence of valence band structure and intersubband transitions in coupled quantum wells, Supperlattices and Microstructures 43 (1996), 2534. [74] Crosslight Software Inc., Gloucester, Canada PICS3D User's Manual, version 4.6.1 edition, November 2000. [75] D.A.Broido and L.J.Sham, Eective masses of holes at GaAs-AlGaAs heterojunctions, Physical Review B 31 (1985), 888892. [76] J. Lee and M. O. Vassell, Eects of uniaxial stress on hole subbands in semiconductor quantum wells. I. Theory, Physical Review B 37 (1988), 88558860. [77] D. Ahn, S. J. Yoon, S. L. Chuang, and C.-S. Chang, Theory of optical gain in strained-layer quantum wells within the 6×6 luttinger-kohn model, Journal of Applied Physics 78 (1995), 24892497. [78] C.-S. Chang and S. L. Chuang, Modeling of strained quantum-well lasers with spin-orbit coupling, IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 1 (1995), 218229. [79] S. Rodrguez, J. A. Lopez-Villanueva, I. Melchor, and J. E. Carceller, Hole connement and energy subbands in a silicon inversion layer using the eective mass theory, Journal of Applied Physics 86 (1999), 438444.
Seite 1:
Numerische Berechnung der elektroni
Seite 4 und 5:
4 INHALTSVERZEICHNIS 5 Berechnung d
Seite 6 und 7:
6 INHALTSVERZEICHNIS Kapitel 3 beha
Seite 8 und 9:
8 KAPITEL 1. DER HALBLEITERLASER Be
Seite 10 und 11:
10 KAPITEL 1. DER HALBLEITERLASER A
Seite 12 und 13:
12 KAPITEL 1. DER HALBLEITERLASER 1
Seite 14 und 15:
Seite 16 und 17:
Seite 18 und 19:
18 KAPITEL 1. DER HALBLEITERLASER k
Seite 20 und 21:
20 KAPITEL 2. DER FESTKÖRPER krist
Seite 22 und 23:
22 KAPITEL 2. DER FESTKÖRPER Die E
Seite 24 und 25:
24 KAPITEL 2. DER FESTKÖRPER Abbil
Seite 26 und 27:
26 KAPITEL 2. DER FESTKÖRPER Abbil
Seite 28 und 29:
28 KAPITEL 3. DIE BANDSTRUKTUR IM H
Seite 30 und 31:
Seite 32 und 33:
Seite 34 und 35:
Seite 36 und 37:
Seite 38 und 39:
Seite 40 und 41:
= = ?
Seite 42 und 43:
Seite 44 und 45:
44 KAPITEL 4. DIE BANDSTRUKTUR IN Q
Seite 46 und 47:
Seite 48 und 49:
Seite 50 und 51:
Seite 52 und 53:
Seite 54 und 55:
Seite 56 und 57:
Seite 58 und 59:
Seite 60 und 61:
Seite 62 und 63:
62 KAPITEL 5. BERECHNUNG DER BANDST
Seite 64 und 65:
Seite 66 und 67:
Seite 68 und 69:
Seite 70 und 71:
Seite 72 und 73:
Seite 74 und 75:
Seite 76 und 77:
Seite 78 und 79: 78 KAPITEL 5. BERECHNUNG DER BANDST
Seite 80 und 81: 80 KAPITEL 6. ERGEBNISSE DER BANDST
Seite 100 und 101: 100 KAPITEL 6. ERGEBNISSE DER BANDS
Seite 106 und 107: 106 KAPITEL 7. OPTOELEKTRONIK Mater
Seite 108 und 109: 108 KAPITEL 7. OPTOELEKTRONIK TE-Po
Seite 110 und 111: 110 KAPITEL 7. OPTOELEKTRONIK 7.1.2
Seite 112 und 113: 112 KAPITEL 7. OPTOELEKTRONIK
Seite 114 und 115: 114 KAPITEL 8. VORHERSAGEN VON OPTO
Seite 120 und 121: 120 KAPITEL 9. ZUSAMMENFASSUNG UND
Seite 122 und 123: 122 ANHANG A. ZUR BANDSTRUKTURBEREC
Seite 124 und 125: 124 ANHANG B. DIE SOFTWARE B. Die S
Seite 126 und 127: 126 LITERATURVERZEICHNIS [13] F. Be
Seite 130 und 131: 130 LITERATURVERZEICHNIS [80] S. Ro
Seite 132 und 133: 132 LITERATURVERZEICHNIS
Seite 134: 134 Bestätigung Ich bestätige, da
Alle anzeigen

Numerische Berechnung der elektronischen ... - SAM - ETH ZÃ¼rich

Erfolgreiche ePaper selbst erstellen

Template löschen?

Als Template speichern?